[发明专利]一种制备SiO2

摘要

本发明公开了一种制备SiO2薄膜的方法，采用PECVD沉积方式制备SiO2薄膜：采用高频与低频交替方式沉积，其中高频频率13.56MHz；低频频率为50‑400KHz；高频功率为20‑100W，低频功率为35‑100W；沉积的气体为混合气体与笑气的混合气体，气体压力为900‑1600mtorr，其中硅烷与笑气的流量比例为90‑300：600‑800；沉积温度为250‑300℃。通过采用高低频交替生长SiO2薄膜，薄膜的致密性较高，抵抗湿气的能力强；通过调整高低频的工艺参数，得到低应力的SiO2薄膜，薄膜通过高低频的交替生长可以得到稳定的低应力SiO2薄膜，工艺稳定可以重复运行应力值保持稳定不漂移。