[发明专利]一种制备SiO2

权利要求书

1.一种制备SiO₂薄膜的方法，采用PECVD沉积方式制备SiO₂薄膜，其特征在于：

采用高频与低频交替方式沉积，其中高频频率13.56MHz；低频频率为50-400KHz；

高频功率为20-100W，低频功率为35-100W；

沉积的气体压力为900-1600mtorr，沉积的气体为混合气体与笑气，其中混合气体与笑气的流量比例为90-300：600-800；所述混合气体包括硅烷和氮气，所述硅烷的体积占比为5％；

沉积温度为250-300℃。

2.根据权利要求1所述的制备SiO₂薄膜的方法，其特征在于，所述高频与所述低频交替时间为：高频10-14s；低频6-9s。

3.根据权利要求2所述的制备SiO₂薄膜的方法，其特征在于，述高频与所述低频交替时间为：高频13s；低频7s；或，高频12s；低频8s。

4.根据权利要求2所述的制备SiO₂薄膜的方法，其特征在于，气体压力为1400mtorr。

5.根据权利要求1所述的制备SiO₂薄膜的方法，其特征在于，所述低频频率为100KHz。

6.根据权利要求1所述的制备SiO₂薄膜的方法，其特征在于，所述高频功率为35W，低频功率为50W。

7.根据权利要求1所述的制备SiO₂薄膜的方法，其特征在于，所述混合气体的流量为110sccm，所述笑气的流量为710sccm。

8.根据权利要求1所述的制备SiO₂薄膜的方法，其特征在于，沉积温度为280℃。

9.一种芯片，其特征在于，其采用如权利要求1-8任意一项制备SiO₂薄膜。

10.一种装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的芯片。