[发明专利]一种制备SiO2在审

申请号：	202111290588.5	申请日：	2021-11-02
公开（公告）号：	CN114000123A	公开（公告）日：	2022-02-01
发明（设计）人：	万远涛;廖世容;况诗吟	申请（专利权）人：	浙江光特科技有限公司
主分类号：	C23C16/40	分类号：	C23C16/40;C23C16/50;C23C16/52;H01L21/02
代理公司：	南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475	代理人：	张丽丽
地址：	312000 浙江省绍兴市***	国省代码：	浙江;33
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种制备 sio base sub
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明公开了一种制备SiO₂薄膜的方法，采用PECVD沉积方式制备SiO₂薄膜：采用高频与低频交替方式沉积，其中高频频率13.56MHz；低频频率为50‑400KHz；高频功率为20‑100W，低频功率为35‑100W；沉积的气体为混合气体与笑气的混合气体，气体压力为900‑1600mtorr，其中硅烷与笑气的流量比例为90‑300：600‑800；沉积温度为250‑300℃。通过采用高低频交替生长SiO₂薄膜，薄膜的致密性较高，抵抗湿气的能力强；通过调整高低频的工艺参数，得到低应力的SiO₂薄膜，薄膜通过高低频的交替生长可以得到稳定的低应力SiO₂薄膜，工艺稳定可以重复运行应力值保持稳定不漂移。

技术领域

本发明涉及芯片生产技术领域，尤其涉及一种制备SiO₂薄膜的方法、芯片及装置。

背景技术

近年来，为了满足人们对信息传递的要求，光通信网络逐步向高速、全光网方向发展。半导体光电探测器作为光通信网络中重要的接收器件，其性能影响整个光通信网络的运转。评价光电探测器的主要指标有：响应度、暗电流、响应波长范围、可靠性等，其可靠性测试包括高低温冲击、高温热、高温老化等。

芯片作为光电探测器重要部件，其品质决定光电探测器的性能。

现有的探测器芯片通过PECVD的方式采用硅烷(SiH₄)与笑气(N₂0)为原料并用纯高频(HF)13.56MHz的方式生长SiO₂薄膜,该生长工艺SiO₂薄膜长时间在高温热的环境下，SiO₂薄膜容易吸水气，导致探测器暗电流上升。且纯高频生长的SiO₂薄膜，生长的薄膜应力调整的范围小。

发明内容

为解决背景技术中存在的至少一个方面的技术问题，本发明提出一种制备 SiO₂薄膜的方法、芯片及光电探测器。

本发明提出的一种制备SiO₂薄膜的方法，采用PECVD沉积方式制备SiO₂薄膜：

采用高频与低频交替方式沉积，其中高频频率13.56MHz；低频频率为 50-400KHz；

高频功率为20-100W，低频功率为35-100W；

沉积的气体压力为900-1600mtorr，沉积的气体为混合气体与笑气，其中混合气体与笑气的流量比例为90-300：600-800；所述混合气体包括硅烷和氮气，所述硅烷的体积占比为5％；