[发明专利]一种有源区结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在审
| 申请号： | 202111282772.5 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114093820A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 于业笑;刘忠明 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/033;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张竞存;张颖玲 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种有源区结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，所述方法包括：提供衬底；在衬底表面形成初始半导体结构；初始半导体结构包括有源线；在初始半导体结构上沉积第一阻挡层；刻蚀第一阻挡层，形成沿第一方向延伸的第一沟槽；刻蚀第一阻挡层，形成沿第二方向延伸的第二沟槽；第一沟槽与第二沟槽交叠区域形成刻蚀孔，刻蚀孔的深度大于第一沟槽与第二沟槽的深度；以刻蚀孔为掩膜，刻蚀有源线，形成分立的有源区掩膜。本申请能够提高有源区的局部关键尺寸均匀性，改善半导体器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 结构 制备 方法 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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