[发明专利]一种有源区结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器

权利要求书

1.一种有源区结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成初始半导体结构；所述初始半导体结构包括有源线；

在所述初始半导体结构上沉积第一阻挡层；

刻蚀所述第一阻挡层，形成沿第一方向延伸的第一沟槽；

刻蚀所述第一阻挡层，形成沿第二方向延伸的第二沟槽；所述第一沟槽与所述第二沟槽交叠区域形成刻蚀孔，所述刻蚀孔的深度大于所述第一沟槽与所述第二沟槽的深度；

以所述刻蚀孔为掩膜，刻蚀所述有源线，形成分立的有源区掩膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一阻挡层，形成沿第一方向延伸的第一沟槽，包括：

在所述第一阻挡层上依次沉积第二阻挡层和第三阻挡层；

刻蚀所述第三阻挡层，形成沿所述第一方向延伸的第一心轴；所述第一心轴间隔设置；

覆盖所述第一心轴的侧面形成第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜进行刻蚀，去除所述第二阻挡层，将所述第一阻挡层刻蚀形成沿所述第一方向延伸的所述第一沟槽。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第三阻挡层，形成沿所述第一方向延伸的第一心轴，包括：

在所述第三阻挡层上形成第一掩膜；所述第一掩膜包括沿所述第一方向延伸的第一刻蚀图形；

沿所述第一刻蚀图形刻蚀所述第三阻挡层，形成沿所述第一方向延伸的所述第一心轴。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述覆盖所述第一心轴的侧面形成第一侧墙，包括：

沉积第一硬掩模层；所述第一硬掩模层覆盖所述第二阻挡层与所述第一心轴；

对所述第一硬掩模层进行回刻，去除所述第一硬掩模层的顶部直到暴露所述第一心轴，保留所述第一硬掩模层的侧部作为所述第一侧墙。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述以所述第一侧墙为掩膜进行刻蚀，去除所述第二阻挡层，将所述第一阻挡层刻蚀形成沿所述第一方向延伸的所述第一沟槽，包括：

去除所述第一侧墙中间的所述第一心轴；

以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀所述第二阻挡层，形成第一中间结构；

以所述第一中间结构为掩膜，刻蚀所述第一阻挡层，形成沿所述第一方向延伸的所述第一沟槽。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一阻挡层，形成沿第二方向延伸的第二沟槽，包括：

在所述第一阻挡层上，依次沉积第四阻挡层和第五阻挡层；所述第四阻挡层覆盖所述第一沟槽；

刻蚀所述第五阻挡层，形成沿所述第二方向延伸的第二心轴；所述第二心轴间隔设置；

覆盖所述第二心轴的侧面形成第二侧墙；

以所述第二侧墙为掩膜进行刻蚀，去除所述第四阻挡层，将所述第一阻挡层刻蚀形成沿所述第二方向延伸的所述第二沟槽。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第五阻挡层，形成沿所述第二方向延伸的第二心轴，包括：

在所述第五阻挡层上形成第二掩膜，所述第二掩膜包括沿所述第二方向延伸的第二刻蚀图形；

沿所述第二刻蚀图形刻蚀所述第五阻挡层，形成沿所述第二方向延伸的所述第二心轴。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述覆盖所述第二心轴的侧面形成第二侧墙，包括：

沉积第二硬掩模层；所述第二硬掩模层覆盖所述第四阻挡层与所述第二心轴；

对所述第二硬掩模层进行回刻，去除所述第二硬掩模层的顶部直到暴露所述第二心轴，保留所述第二硬掩模层的侧部作为所述第二侧墙。