[发明专利]一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法在审

申请号：	202111215134.1	申请日：	2021-10-19
公开（公告）号：	CN114068757A	公开（公告）日：	2022-02-18
发明（设计）人：	卢红亮;陈丁波	申请（专利权）人：	复旦大学
主分类号：	H01L31/153	分类号：	H01L31/153;H01L31/18;H01L27/15
代理公司：	上海正旦专利代理有限公司 31200	代理人：	王洁平
地址：	200433 ***	国省代码：	上海;31
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明公开了一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法。本发明在AlGaN/GaN异质结基板上通过选区外延生长制备微型发光二极管microLED，并与AlGaN/GaN界面的二维电子气原位形成电连接。本发明中，micro‑LED采用自下而上方法制备，从根本上消除了侧壁损伤，能够有效提高器件性能。同时，由于集成了microLED和紫外光电探测器，使得本发明的单片集成器件具有发射信号和接收信号的双重功能，可以作为光通信中的收发单元和光互连单元。
搜索关键词：	一种基于氮化微型发光二极管光电三极管单片集成器件及其制备方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

暂无信息

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111215134.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：离合器分离轴承
下一篇：基于多视角雷达图像的目标三维重建方法

同类专利

一种LED和探测器的集成器件及其制备方法-202310605534.6
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本申请实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种LED和探测器的集成器件及其制备方法，集成器件包括导电衬底、LED外延层、探测器外延层、第一电极及第二电极；LED外延层设于导电衬底且与导电衬底电连接；探测器外延层设于导电衬底且与导电衬底之间绝缘设置，探测器外延层与LED外延层相互隔离设置；第一电极的两端分别与LED外延层远离导电衬底的一端和探测器外延层远离导电衬底的一端电连接；第二电极与探测器外延层靠近导电衬底的一端电连接。本申请将LED外延层与探测器外延层集成在同一器件上，使集成器件中同时具有通信功能以及探测功能，在保证LED外延层体积的前提下，减少集成器件的占用空间，提升器件通信过程的稳定性。

光开关-201710464955.6
发明人：近藤崇 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明公开了一种光开关，该光开关包括通过入射光而从截止状态转换到导通状态的光晶闸管、当所述光晶闸管处于导通状态时输出出射光的发光元件、设置于所述光晶闸管与所述发光元件之间的隧道结层或具有金属导电性的III‑V族化合物层。

一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法-202011042977.1
发明人：杨旭;李金钗;李书平;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法，包括具有信号处理电路的支撑衬底、位于支撑衬底上的微型收发单元阵列以及互联电极，其中每个微型收发单元包括由下至上的衬底金属键合层、多个堆叠外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、光接收台面和钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与光发射模块像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与光发射模块像素的贯穿阵列电极、贯穿微型收发单元阵列分别与每个外延层n型面连接的共用电极。使用本发明技术方案可制造出实用化、高速、多场景应用的可见光通信终端产品。

一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法-202111215134.1
发明人：卢红亮;陈丁波 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法。本发明在AlGaN/GaN异质结基板上通过选区外延生长制备微型发光二极管microLED，并与AlGaN/GaN界面的二维电子气原位形成电连接。本发明中，micro‑LED采用自下而上方法制备，从根本上消除了侧壁损伤，能够有效提高器件性能。同时，由于集成了microLED和紫外光电探测器，使得本发明的单片集成器件具有发射信号和接收信号的双重功能，可以作为光通信中的收发单元和光互连单元。

一种光电探测器及其制作方法-201710543289.5
发明人：张文林;孙建明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制作方法，涉及探测器技术领域，解决了现有的光电探测器的制作工艺复杂，光电探测器的制作成本较高的技术问题。该光电探测器包括：氧化物半导体薄膜晶体管和PN结光电探测单元，PN结光电探测单元包括PN结下电极、PN结上电极以及依次设在PN结下电极和PN结上电极之间的N型层、感应层和P型层；其中，PN结上电极与氧化物半导体薄膜晶体管的漏极相连，N型层与氧化物半导体薄膜晶体管的半导体有源层的材质相同。本发明中的光电探测器应用于光电探测。

光耦合装置-202010781752.1
发明人：藤原真美;鹰居直也;田中和喜 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明提供一种光耦合装置。实施方式的光耦合装置具备：受光元件，设置有第1输出端子以及第2输出端子；发光元件，设置在上述受光元件上；第1开关元件；第1电极板；以及密封部件。上述第1开关元件具有与上述第1输出端子连接的第1主端子、与上述第2输出端子连接的控制端子、以及第2主端子。上述第1电极板的上表面与上述第2主端子连接。上述密封部件覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件，在下表面露出上述第1电极板的下表面。上述第1电极板的下表面和上述密封部件的下表面构成同一平面。

光耦合装置以及高频装置-202010782829.7
发明人：藤原真美;鹰居直也;田中和喜;安住壮纪;野口吉雄;常盤豪 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明的实施方式提供光耦合装置以及高频装置，高频电流的通过特性良好。实施方式的光耦合装置具备：受光元件，设置有第1输出端子以及第2输出端子；发光元件，设置在上述受光元件上；第1开关元件，设置在上述受光元件的侧方，在上表面上设置有第1主端子以及控制端子，在下表面上设置有第2主端子，上述第1主端子与上述第1输出端子连接，上述控制端子与上述第2输出端子连接；第1电极板，上表面与上述第2主端子连接；以及密封部件，覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件，在下表面中露出上述第1电极板的下表面。

光互联数据读写装置-201810454341.4
发明人：王芙馨;刘鹏展 -专利权人：南京亮芯信息科技有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明提供的光互联数据读写装置，包括：处理模块，用于与外界进行数据传输；存储模块，用于数据的存储；光通信模块，同时连接所述处理模块和所述存储模块，包括通过光波导连接的第一量子阱二极管器件和第二量子阱二极管器件；所述第一量子阱二极管器件连接所述处理模块，所述第二量子阱二极管器件连接所述存储模块；所述光通信模块用于采用光传输的形式实现所述处理模块与所述存储模块之间的数据通信。本发明显著提高了数据读写装置的读写效率，并降低了数据读写装置的热效应。

Si基改性Ge单片同层光电器件-201811563099.0
发明人：薛磊;尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，该器件结构包括：P型Si衬底层；P型Ge层，位于P型Si衬底层上；本征GeSn层，位于P型Ge层上，本征GeSn层包括第一本征GeSn层、第二本征GeSn层和第三本征GeSn层，第二本征GeSn层位于第一本征GeSn层与第三本征GeSn层之间；SiO2隔离层，位于P型Ge层上；N型Ge层，位于第一本征GeSn层和第三本征GeSn层上；N型Si层，位于N型Ge层上；SiO2氧化层，位于N型Si层上；α‑Si覆盖层，位于第二本征GeSn层上；金属电极层，位于SiO2氧化层上和P型Ge层上。本发明在Si基改性Ge薄膜上实现了发光器件、波导以及探测器件位于同层结构中，改善了光电器件的集成度，提高了Si衬底层的兼容性，降低了光电器件制备工艺的复杂度和成本。

一种光电集成器件及其制备方法-201811562492.8
发明人：左瑜;尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种光电集成器件及其制备方法，包括：选取n型掺杂Si衬底；在衬底上依次生长n型掺杂Ge层、p型掺杂Si层、保护层；刻蚀保护层、p型掺杂Si层、n型掺杂Ge层形成依次隔离的发光器件区域、波导区域、探测器区域；在波导区域上及两侧淀积波导SiN膜；在衬底上、探测器区域上及两侧淀积探测器SiN膜；在发光器件区域上、衬底上、探测器SiN膜上形成电极，以完成光电集成器件的制备。本发明实施例通过使用Si基改性Ge材料，在同层实现发光器件、波导以及探测器的集成形成光电集成器件，该光电集成器件的光学和电子器件间工艺易兼容，且结构新颖、集成度高、生产成本低、工艺周期短。

光电集成电路及其制备方法-201811566032.2
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种光电集成电路及其制备方法，该方法包括：在硅衬底表面生长外延层，并在外延层内刻蚀形成光电集成区和CMOS器件区；在CMOS器件区制备CMOS器件；在光电集成区制备发光器件、波导器件及探测器件；在CMOS器件中的PMOS表面和波导器件表面形成第一应变层；在CMOS器件中的NMOS表面和探测器件表面形成第二应变层；在光电集成区和CMOS器件区制备电极。本发明实施例，通过将压应变材料设置于PMOS表面和所述波导器件表面，张应变材料设置于NMOS表面和所述探测器件表面，通过应变调制波导器件和探测器件的禁带宽度，实现同层单片光电集成，并简化工艺。

光电集成半导体器件及其制备工艺-201811562417.1
发明人：薛磊;岳庆冬 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种光电集成半导体器件及其制备工艺，包括如下步骤：在所述衬底上形成第一半导体结构和第二半导体结构；形成第一隔离层；形成n++Si层，同时形成n阱；形成PMOS和NMOS，并对整个器件进行快速退火；刻蚀所述n++Si层之上的部分，并在所述n++Si层上依次形成n++掺杂Ge层、p+掺杂Ge层、p++掺杂Si层、第二隔离层；形成光发射结构、波导结构、探测器结构；形成多晶硅栅和第一电极；在所述波导结构上和所述NMOS上形成压应力膜；在所述探测器结构和所述NMOS上形成张应力膜；分别在所述衬底、所述探测器结构、所述第一隔离层上形成第二电极。本发明光电集成半导体器件的制备工艺具有高工艺兼容性，且制备的半导体器件具有高器件兼容性，提高光耦合效率。

一种Si基改性Ge单片同层结构-201811562508.5
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层结构，包括：基底层；发光部分，位于基底层上层的一侧；探测部分，位于基底层上层的另一侧，并与发光部分相对设置；波导部分，位于基底层的上层，且位于发光部分与探测部分之间；隔离层，位于基底层的上层，与波导部分相邻且对称设置于波导部分两侧；覆盖层，位于波导部分的上层；压应力膜，包覆波导部分、隔离层和覆盖层；张应力膜，包覆探测部分和探测部分两侧的基底层；金属层，位于发光部分上层、发光部分两侧的基底层上层以及张应力膜上层。本发明采用同质外延材料形成器件的各部分，有效地解决了器件在工作时各组成部分之间不兼容的问题；采用应力膜调节应力大小，实现了各部分禁带宽度的调节。

Si基改性Ge单片同层光电器件-201811563070.2
发明人：左瑜;岳庆东 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，包括：由下到上依次层叠设置的衬底层、n型掺杂Si层、n型掺杂Ge层；n型掺杂Ge层上有三个隔离区域；第一隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第一本征Ge层、第一p型掺杂Ge层、第一P型掺杂Si层、第一SiO2层、第一金属电极；第二隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第二本征Ge层、覆盖层α‑Si，第二隔离区域包覆有压应力SiN膜；第三隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第三本征Ge层、第三p型掺杂Ge层、第三P型掺杂Si层、第三SiO2层，第三隔离区域包覆有张应力SiN膜，张应力SiN膜上有第三金属电极。本发明解决了集成电路结构与工艺不兼容的问题。

一种光电集成器件-201811563106.7
发明人：左瑜;尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种光电集成器件，包括n+掺杂Si衬底、第一和第二以及第三n+掺杂Ge层、第一和第二p+掺杂Si层、第一和第二保护层，各层由下至上层叠于n+掺杂Si衬底上；第一和第二隔离层设置于n+掺杂Si衬底上；覆盖层设置于第二n+掺杂Ge层上；第一SiN膜设置于第一隔离层、第二隔离层、覆盖层上和两侧及第二n+掺杂Ge层两侧；第二SiN膜设置于n+掺杂Si衬底上，第三n+掺杂Ge层、第二p+掺杂Si层和第二保护层两侧以及第二保护层上；第一电极和第二电极分别设置于第一保护层和第二SiN膜上。本发明通过使用Si基改性Ge材料，实现发光器件、波导以及探测器的同层制备，器件结构新颖、集成度高、工艺成本低。

Si基改性Ge单片同层光电器件-201811562802.6
发明人：薛磊 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，包括：衬底(001),埋层(002)，发光器部分(1)，波导部分(2)，探测器部分(3)和电极(013)；其中，所述波导部分(2)，与所述发光器部分(1)和所述探测器部分(3)之间分别设置有隔离层(009)；所述波导部分(2)和所述隔离层(3)的外表面包覆有第一应力膜(011)；所述探测器部分(3)外表面和所述埋层(002)上表面包覆有第二应力膜(012)。本技术方案，通过将发光器部分(1)、波导部分(2)和探测器部分(3)集成设置于同一衬底(001)和埋层(002)上，器件集成度高，工艺成本低；并且通过第一应力膜(011)、第二应力膜(012)对波导部分(2)和探测器部分(3)进行能带调制，使发光器部分(1)、波导部分(2)和探测器部分(3)的禁带宽度满足要求。

单片同层光电结构-201811562989.X
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种单片同层光电结构，包括：衬底层、器件层、第一SiO2层及第一氮化硅膜、第二氮化硅膜，所述衬底层、所述器件层、所述第一SiO2层依次层叠设置；其中，所述器件层包括：依次水平隔离设置于所述衬底层上的光电器件和CMOS器件；所述光电器件包括：n++掺杂Si层、n++掺杂Ge层、光源子结构、波导结构、探测器子结构，且所述光源子结构、所述波导结构、所述探测器子结构相互隔离设置于所述n++掺杂Ge层上，所述n++掺杂Ge层设置于所述n++掺杂Si层上；所述第一氮化硅膜包裹所述波导结构，所述第二氮化硅膜包裹所述探测器子结构；本发明的单片同层光电结构集成了光电结构和COMS器件，且集成后半导体器件具有高度的器件兼容性。

光电集成半导体器件及芯片-201811562990.2
发明人：薛磊;岳庆冬 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种光电集成半导体器件及芯片，其中，光电集成半导体器件包括：第一衬底；光电结构，设置于所述第一衬底之上，其中，所述光电结构包括：N型层，设置于N型层上的光源P型层、波导结构、探测器P型层；CMOS结构，设置于所述第一衬底之上，其中，CMOS结构包括PMOS结构和NMOS结构；第一隔离层，设置于所述光电结构和所述CMOS结构之间对应的所述第一衬底之上，且设置于所述CMOS结构之上；压应力膜，包裹所述波导结构并设置于所述PMOS结构之上；张应力膜，包裹所述探测器P型层、所述探测器P型两侧的N型层以及所述NMOS结构之上。本发明的光电集成半导体器件集成了光电结构和COMS器件，且集成后半导体器件具有高度的器件兼容性。

单片同层光电结构及其制备方法-201811563032.7
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种单片同层光电结构及其制备方法，制备方法包括如下步骤：形成相互隔离的第一外延结构和第二外延结构；形成第一SiO2层；在所述第一外延结构内形成n++Si层，在所述第二外延结构形成n阱层；形成PMOS的漏区和源区、NMOS的源区和漏区；形成第一矩形槽；在所述第一矩形槽内依次形成n++掺杂Ge层、本征Ge层、p+掺杂Ge层、p++掺杂Si层、第二SiO2层；形成第二矩形槽；本征Ge层中部形成锥型波导结构，所述锥形波导结构与两侧的本征Ge层分别形成隔离槽；形成第三SiO2层；形成覆盖层；形成第一氮化硅膜；形成第二氮化硅膜。本发明的制备工艺采用一套工艺制备硅基单片光电集成器件，集成了光电器件和MOS器件，工艺简单且兼容性高。

一种Si基改性Ge单片同层光电集成器件-201811563077.4
发明人：薛磊;左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层光电集成器件，包括：Si衬底；本征Ge层，位于Si衬底上；第一结构、第二结构、第三结构，均位于本征Ge层上；其中，第二结构位于第一结构和第三结构之间，第二结构外包裹有第一SiN膜，第三结构外包裹有第二SiN膜，本征Ge层上覆盖有第二SiN膜。本发明的同层光电集成器件通过第一SiN膜对波导的作用和第二SiN膜对探测器的作用，使波导和探测器受到张应力/压应力，从而调节了波导和探测器的禁带宽度，使得发光器件、波导和探测有源层材料的禁带宽度关系Eg满足：Eg波导Eg光源Eg探测器，从而调制了集成器件中能带关系，实现了采用同种材料制备单片光集成结构。

Si基改性Ge单片同层光电器件制备方法-201811568207.3
发明人：左瑜;岳庆东 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件制备方法，包括：在衬底层上依次层叠生长形成n型掺杂Si层、n型掺杂Ge层、本征Ge层、p型掺杂Ge层、p型掺杂Si层和SiO2保护层，刻蚀SiO2保护层、p型掺杂Si层和p型掺杂Ge层，以及部分本征Ge层，形成发光器件区域、波导、探测器区域和隔离沟槽；在隔离沟槽内形成SiO2隔离层；在波导上形成覆盖层α‑Si；在覆盖层α‑Si和SiO2隔离层上形成压应力SiN膜；在探测器区域上形成张应力SiN膜；在张应力SiN膜和所述发光区域上形成金属电极。

一种Si基改性Ge单片同层光电集成器件-201822148018.2
发明人：薛磊;左瑜 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本实用新型涉及一种Si基改性Ge单片同层光电集成器件，包括：Si衬底；本征Ge层，位于Si衬底上；第一结构、第二结构、第三结构，均位于本征Ge层上；其中，第二结构位于第一结构和第三结构之间。本实用新型的同层光电集成器件通过第一SiN膜对波导的作用和第二SiN膜对探测器的作用，使波导和探测器受到张应力/压应力，从而调节了波导和探测器的禁带宽度，使得发光器件、波导和探测有源层材料的禁带宽度关系Eg满足：Eg波导>Eg光源>Eg探测器，从而调制了集成器件中能带关系，实现了采用同种材料制备单片光集成结构。

一种Si基改性Ge单片同层光电器件-201822144930.0
发明人：薛磊 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本实用新型涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，包括：衬底(001),埋层(002)，发光器部分(1)、波导部分(2)和探测器部分(3)，电极(013)；其中，所述波导部分(2)，与所述发光器部分(1)和所述探测器部分(3)之间分别设置有隔离层(009)。本技术方案，通过将发光器部分(1)、波导部分(2)和探测器部分(3)集成设置于同一衬底(001)和埋层(002)上，器件集成度高，工艺成本低；并且本实用新型提出的直接带隙型改性Ge载流子辐射复合效率高，改性Ge由于其能级分裂、有效质量减小，载流子迁移率相较Ge载流子迁移率更高，Si基改性Ge单片同层光电器件不仅具有优异的光电特性，还兼具Si衬底的优势。

一种光电集成器件-201822145911.X
发明人：左瑜;尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本实用新型涉及一种光电集成器件，包括n+掺杂Si衬底、第一和第二以及第三n+掺杂Ge层、第一和第二p+掺杂Si层、第一和第二保护层，各层由下至上层叠于n+掺杂Si衬底上；第一和第二隔离层设置于n+掺杂Si衬底上；覆盖层设置于第二n+掺杂Ge层上；第一SiN膜设置于第一隔离层、第二隔离层、覆盖层上和两侧及第二n+掺杂Ge层两侧；第二SiN膜设置于n+掺杂Si衬底上，第三n+掺杂Ge层、第二p+掺杂Si层和第二保护层两侧以及第二保护层上。本实用新型通过使用Si基改性Ge材料，实现发光器件、波导以及探测器的同层制备，器件结构新颖、集成度高、工艺成本低。

Si基改性Ge单片同层光电器件-201822148314.2
发明人：左瑜;岳庆东 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本实用新型涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，包括：由下到上依次层叠设置的衬底层、n型掺杂Si层、n型掺杂Ge层；n型掺杂Ge层上有三个隔离区域；第一隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第一本征Ge层、第一p型掺杂Ge层、第一P型掺杂Si层、第一SiO₂层、第一金属电极；第二隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第二本征Ge层、覆盖层α‑Si，第二隔离区域包覆有SiN膜；第三隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第三本征Ge层、第三p型掺杂Ge层、第三P型掺杂Si层、第三SiO₂层，第三隔离区域包覆有SiN膜，SiN膜上有第三金属电极。本实用新型提出的单片同层光电器件解决了能带调制性能差的问题。

一种Si基改性Ge单片同层结构-201822144952.7
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本实用新型属于半导体技术以及半导体制造领域，具体涉及一种Si基改性Ge单片同层结构，包括：基底层；发光部分，位于所述基底层上层的一侧；探测部分，位于所述基底层上层的另一侧，并与所述发光部分相对设置；波导部分，位于所述基底层的上层，且位于所述发光部分与所述探测部分之间；隔离层，位于所述基底层的上层，与所述波导部分相邻且对称设置于所述波导部分两侧。本实用新型采用同质外延材料形成器件的各个组成部分，解决了器件在工作时各部分之间不兼容的问题；采用压应力膜和张应力膜调节应力膜覆盖区域的应力大小，实现了器件各组成部分的禁带宽度调节。

单片同层光电结构-201822145305.8
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本实用新型涉及一种单片同层光电结构，包括：衬底层、器件层、第一SiO₂层及第一氮化硅膜、第二氮化硅膜，所述衬底层、所述器件层、所述第一SiO₂层依次层叠设置；其中，所述器件层包括：依次水平隔离设置于所述衬底层上的光电器件和CMOS器件；所述光电器件包括：n++掺杂Si层、n++掺杂Ge层、光源子结构、波导结构、探测器子结构，且所述光源子结构、所述波导结构、所述探测器子结构相互隔离设置于所述n++掺杂Ge层上，所述n++掺杂Ge层设置于所述n++掺杂Si层上，本实用新型的单片同层光电结构集成了光电结构和COMS器件，且集成后半导体器件具有高度的器件兼容性。

Si基改性Ge单片同层光电器件-201822145538.8
发明人：薛磊;尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本实用新型涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，该器件结构包括：P型Si衬底层；P型Ge层，位于P型Si衬底层上；本征GeSn层，位于P型Ge层上，本征GeSn层包括第一本征GeSn层、第二本征GeSn层和第三本征GeSn层；N型Ge层，位于第一本征GeSn层和第三本征GeSn层上；N型Si层，位于N型Ge层上；SiO₂氧化层，位于N型Si层上；金属电极层，位于SiO₂氧化层上和P型Ge层上。本实用新型在Si基改性Ge薄膜上实现了发光器件、波导以及探测器件位于同层结构中，改善了光电器件的集成度，提高了Si衬底层的兼容性，降低了光电器件制备工艺的复杂度和成本。

光电集成电路-201822144917.5
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L31/153
摘要：本实用新型涉及一种光电集成电路，包括光电转换区和半导体器件区；其中，所述光电转换区包括发光器件、波导器件及探测器件，所述发光器件、所述波导器件及所述探测器件制备于同一硅基衬底上，且所述发光器件、所述波导器件及所述探测器件依次相连；所述半导体器件区包括半导体器件，且所述半导体器件与所述探测器件相连。本实用新型实施例，通过将压应变材料设置于PMOS表面和所述波导器件表面，张应变材料设置于NMOS表面和所述探测器件表面，通过应变调制波导器件和探测器件的禁带宽度，实现同层单片光电集成。

叠堆状的光耦合器组件-201610243774.6
发明人： W·古特;D·富尔曼;C·瓦赫特 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L31/153
摘要：一种叠堆状的光耦合器组件，其具有发射组件和接收组件以及板状电绝缘体，发射组件具有发射区域，接收组件具有接收区域，绝缘体构造在发射组件和接收组件之间，发射组件和接收组件以及板状电绝缘体叠堆状地彼此重叠地布置，发射组件和接收组件在电方面彼此分离然而在光方面彼此耦合，绝缘体对于发射组件的发射波长透明，发射组件的光主要通过绝缘体作用到接收组件上，接收组件具有N个相互串联的部分电压源，其中N是自然数，单个部分电压源的部分电压彼此的偏差小于20％，部分电压源中的每一个具有半导体二极管，半导体二极管具有p‑n结，在各两个相继的部分电压源之间构造有隧道二极管，部分电压源和隧道二极管一起单片式地集成。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法在审

专利文献下载