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[发明专利]光耦合装置-CN201910623904.2有效
发明人：藤原真美;野口吉雄;鹰居直也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种光耦合装置，能够改善高频通过特性。实施方式的光耦合装置具有输入端子、输出端子、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件以及树脂层。所述输入端子包括第一引线以及第二引线。所述输出端子包括第三引线以及第四引线。第一MOSFET与漏极区域电连接。第二MOSFET与漏极区域电连接。半导体受光元件具有受光区域和电极焊盘区域。树脂层以输入端子的下表面的中央部以及输出端子的下表面的中央部分别露出的方式，密封第一和第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、输入端子的上表面和侧面、以及输出端子的上表面和侧面。第一以及第二MOSFET被进行共源极连接。
耦合装置

[发明专利]半导体继电装置-CN202110811078.1在审
发明人： 鹰居直也;泷藤之博;斋藤圭太;田中和喜 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：实施方式提供一种半导体继电装置，其由绝缘分离的输入侧和输出侧构成，即使在输出侧不包含恒流源，也能够保护输出侧的设备免受过热的影响。实施方式的半导体继电装置包含转换电路部、齐纳二极管、串联连接的n个二极管、晶闸管以及晶体管。转换电路部基于输入信号使第一电流在第一节点流过。齐纳二极管具有与第二节点连接的阳极以及与第一节点连接的阴极。n个二极管中的第一端的一个二极管的阳极与第一节点连接，n个二极管中的第二端的一个二极管的阴极与第三节点连接。晶闸管包含与第一节点连接的阴极、与第二节点连接的阳极以及与第三节点连接的控制端子。晶体管具有与第一节点连接的栅极。
半导体装置

[发明专利]光耦合装置-CN202010781752.1在审
发明人：藤原真美;鹰居直也;田中和喜 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L31/153 文献下载
摘要：本发明提供一种光耦合装置。实施方式的光耦合装置具备：受光元件，设置有第1输出端子以及第2输出端子；发光元件，设置在上述受光元件上；第1开关元件；第1电极板；以及密封部件。上述第1开关元件具有与上述第1输出端子连接的第1主端子、与上述第2输出端子连接的控制端子、以及第2主端子。上述第1电极板的上表面与上述第2主端子连接。上述密封部件覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件，在下表面露出上述第1电极板的下表面。上述第1电极板的下表面和上述密封部件的下表面构成同一平面。
耦合装置

[发明专利]光耦合装置以及高频装置-CN202010782829.7在审
发明人：藤原真美;鹰居直也;田中和喜;安住壮纪;野口吉雄;常盤豪 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L31/153 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供光耦合装置以及高频装置，高频电流的通过特性良好。实施方式的光耦合装置具备：受光元件，设置有第1输出端子以及第2输出端子；发光元件，设置在上述受光元件上；第1开关元件，设置在上述受光元件的侧方，在上表面上设置有第1主端子以及控制端子，在下表面上设置有第2主端子，上述第1主端子与上述第1输出端子连接，上述控制端子与上述第2输出端子连接；第1电极板，上表面与上述第2主端子连接；以及密封部件，覆盖上述受光元件、上述发光元件以及上述第1开关元件，在下表面中露出上述第1电极板的下表面。
耦合装置以及高频

[发明专利]半导体装置及光耦合装置-CN201610115585.0有效
发明人： 鹰居直也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种使粘接在第1半导体元件上的第2半导体元件避免剥离的半导体装置及光耦合装置。实施方式的半导体装置具备第1半导体元件、设置在第1半导体元件上的第2半导体元件、将第2半导体元件的表面覆盖的凝胶状硅酮、及将硅酮的表面与第1半导体元件的表面覆盖的树脂部。
半导体装置耦合

[发明专利]光耦合装置及其安装部件-CN201910635635.1在审
发明人：斋藤圭太;鹰居直也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：实施方式提供能够实现大电流输出的光耦合装置及其安装部件。实施方式的光耦合装置具有安装部件、第一MOSFET、第二MOSFET、半导体受光元件、半导体发光元件、第一布线部、第二布线部、第三布线部、以及封固树脂层。半导体受光元件以跨越第一MOSFET与第二MOSFET之间的间隙部的方式与第一MOSFET以及第二MOSFET接合，一方的电极与第一以及第二MOSFET的栅极连接，另一方的电极与第一以及第二MOSFET的源极连接。第一布线部跨越第一直线而连接第一MOSFET的源极和第二MOSFET的源极。第二布线部连接第一引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的一方的电极。第三布线部连接第二引线的弯曲部的前端部和半导体发光元件的另一方的电极。
耦合装置及其安装部件

[发明专利]光继电器-CN201410422735.3在审
发明人： 鹰居直也;山本真美;野口吉雄;中岛英児 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：根据一个实施方式，光继电器具有绝缘基板、输入端子、输出端子、芯片焊盘部、受光元件、发光元件、MOSFET及第一密封树脂层。绝缘基板具有第一面和第二面。输入端子包含第一导电区域。输出端子包含第一导电区域。受光元件粘接于芯片焊盘部。发光元件粘接于受光元件的上表面，并连接于输入端子的第一导电区域。MOSFET连接于输出端子的第一导电区域。引出电极包含于输入端子或包含于输出端子。在绝缘基板的侧面中的被作为安装面的侧面，设置包含于输入端子的安装导电区域以及包含于输出端子的安装导电区域。
继电器

[发明专利]光耦合装置-CN201410421681.9无效
发明人： 鹰居直也;伊藤阳一郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能缩小外部安装基板的尺寸的光耦合装置。光耦合装置具有绝缘衬底、输入端子、输出端子、下垫板部、受光元件和发光元件。绝缘衬底具有第一层、第二层和多个贯通孔。输入端子具有第一端子和第二端子。第一端子具有第一导电区域、第二导电区域、设置在贯通孔的内部的贯通导电区域以及第一旋涡状导电区域。第二端子具有第一导电区域、第二导电区域、设置在贯通孔的内部的贯通导电区域以及第二旋涡状导电区域。受光元件粘接在下垫板部上，并与输出端子相连接。发光元件粘接在受光元件的上表面上，具有与第一端子的第二导电区域相连接的第一电极和与第二端子的第二导电区域相连接的第二电极。
耦合装置

[发明专利]光耦合装置-CN201410420945.9无效
发明人： 鹰居直也;野口吉雄;山本真美 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明提供一种光耦合装置。根据一个实施方式，光耦合装置具有安装部件、受光元件、第一树脂层、发光元件以及第二树脂层。安装部件具有：设置有从上表面后退的凹部且具有遮光性的绝缘体层；输入端子；以及与上述输入端子绝缘的输出端子。受光元件设置于上述凹部的底面，与上述输出端子连接，将上表面作为受光面。第一树脂层以覆盖上述受光元件的方式设置在上述凹部内，且具有透光性。发光元件以作为光射出面的下表面与上述受光面对置的方式粘接于上述第一树脂层的上表面，且与上述输入端子连接。第二树脂层被设置成覆盖上述发光元件、上述绝缘体层的上述上表面、上述第一树脂层以及上述输入端子。
耦合装置

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