[发明专利]一种电容结构及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，公开一种电容结构及其制备方法。一种电容结构的制备方法包括：在衬底上依次沉积第一支撑层、第一牺牲层和第二支撑层；在第二支撑层内形成异质区；在第二支撑层上依次沉积第二牺牲层和第三支撑层；通过刻蚀工艺，沿第三支撑层往衬底方向依次刻蚀形成电容孔，且电容孔贯穿异质区，其中，异质区的材料与第二支撑层的材料的刻蚀选择比大于1；在电容孔内表面形成下电极层。自第三支撑层往衬底依次刻蚀的过程中，若刻蚀方向出现一定程度的偏斜，由于异质区的存在，异质区会被优先刻蚀，即下半段的刻蚀起点被异质区纠正，可以在一定程度上纠正刻蚀方向，从而避免因下半段电容孔偏斜程度过大造成的相邻的电容孔互通的问题。