[发明专利]碳化硅衬底薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202111202458.1 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113921381A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 周贞宏;王萍;韩永 | 申请（专利权）人： | 贝尔特物联技术无锡有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/304 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 苗雨 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，尤其涉及碳化硅衬底薄膜的制备方法，通过对目标基底层以及载体层进行打磨，而后对目标基底层进行离子注入，使目标基底层出现断裂层，然后将载体层同目标基底层高温键合，再进行退火，令目标基底层在断裂层处分离，以达到获取目标薄膜层的目的。本发明利用载体片(石墨或蓝宝石)做基层，仅要较薄的薄膜层因此同样体积的碳化硅晶锭利用率可提升约5‑10倍，从而预计整体成本降低约50％；载体片的减薄的工艺会比碳化硅的减薄更加容易；由于碳化硅的薄膜层比较薄，电阻会变小，从而提升了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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