[发明专利]晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质在审

专利信息
申请号: 202111192404.1 申请日: 2021-10-13
公开(公告)号: CN114037659A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 吴奇峰;王建国;熊柏泰 申请(专利权)人: 武汉精创电子技术有限公司
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 张凯
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括:确定若干取像区域,其中,相邻取像区域间存在重合部分,所述若干取像区域覆盖晶粒阵列;分别对每个取像区域进行拍摄,对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测,得到每帧图像对应的子检测结果;将所有的子检测结果合并,得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。通过本发明实现了对晶粒阵列进行自动化缺陷检测,提高了检测效率以及准确性。
搜索关键词: 晶粒 阵列 缺陷 检测 方法 装置 设备 可读 存储 介质
【主权项】:
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