[发明专利]晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质

说明书

本发明提供一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括：确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。通过本发明实现了对晶粒阵列进行自动化缺陷检测，提高了检测效率以及准确性。

技术领域

本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。

背景技术

Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。

Micro LED芯片器件的制造，先是在蓝宝石类的基板上通过分子束外延的方式生长出来，然后通过巨量转移技术将LED发光器件转移到玻璃基板上。其中，核心技术是纳米级LED发光器件的转运，由于目前转运技术难点较大，转运过程良率难以保证，转运过程中会出现晶粒缺失、偏移，以及翻晶、立晶、晶粒破损等缺陷，这些异常会导致最后的成品出现局部像素点不亮，颜色异常等产品缺陷。因此，Micro LED面板制造厂商需要对经过巨量转移后的二维周期阵列进行缺陷检测。目前，主要是人工检测的方式，例如，基于巨量转移技术在晶圆片上搭载Micro LED晶粒阵列，在进行缺陷检测时，将晶圆片置于显微镜载台上后，调节显微镜聚焦，随机选择若干个视野，人工统计各个视野下各类缺陷数量及其占比，通过各个视野的准确率来对整体转移率进行估算。这种方式检测效率低，且评判标准受人为影响因素比较大，检测结果不可靠。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。

第一方面，本发明提供一种晶粒阵列缺陷检测方法，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖晶粒阵列；

分别对每个取像区域进行拍摄，对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果；

将所有的子检测结果合并，得到所述晶粒阵列的缺陷检测结果。

可选的，所述确定若干取像区域的步骤包括：

获取晶圆片上标记图案的位置；

根据所述标记图案的位置以及标记图案与晶粒阵列的相对位置关系，确定若干取像区域。

可选的，所述对拍摄得到的每帧图像进行缺陷检测的步骤包括：

按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点，其中，分布式检测系统包括多个检测节点；

检测节点对收到的每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果。

可选的，所述按照预设调度策略将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中的检测节点的步骤包括：

将拍摄得到的每帧图像分配至分布式检测系统中处于空闲状态的任一检测节点。

可选的，对每帧图像进行缺陷检测，得到每帧图像对应的子检测结果的步骤包括：

通过模板匹配技术确定每帧图像中缺失的第一类晶粒；

计算每帧图像中实际存在的晶粒的理论位置与实际位置间的距离，筛选理论位置与实际位置间的距离大于预设距离的第二类晶粒；

基于外观检测模型确定每帧图像中外观异常的第三类晶粒；

确定同属于所述第二类晶粒以及第三类晶粒的第四类晶粒。

可选的，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：