[发明专利]一种氮化物横向极性结及其制备方法、深紫外发光二极管在审
申请号: | 202111139496.7 | 申请日: | 2021-09-26 |
公开(公告)号: | CN113948543A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 孙晓娟;陈洋;黎大兵;蒋科;贲建伟;张山丽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/22 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 魏毅宏 |
地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种氮化物横向极性结及其制备方法、深紫外发光二极管,该氮化物横向极性结,包括:衬底;二维材料微纳图形层;氮化物材料层。本发明的氮化物横向极性结,二维材料微纳图形层的材料能够实现氮化物材料层的均匀极性反转,有效地抑制了传统极性调控方法存在的非均匀极性材料共存的难题;过渡金属二硫属化合物层间弱的范德华作用力,能够有效的消除衬底和氮化物材料层之间的晶格失配作用,提高N极性氮化物材料的晶体质量,同时降低内部的残余应力。本发明的深紫外发光二极管,包括氮化物横向极性结,配合氮化物横向极性结实现电子和空穴的高效复合发光,能够实现载流子横向输运特性的调控,提高深紫外发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化物 横向 极性 及其 制备 方法 深紫 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111139496.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的