[发明专利]溢出式凸块封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202111132604.8 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113594122B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 何正鸿;徐玉鹏;钟磊;李利 | 申请（专利权）人： | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 梁晓婷 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种溢出式凸块封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，该溢出式凸块封装结构包括基底芯片、布线组合层、金属凸块、第一介质层、导电胶膜层和第二介质层，第一介质层包覆在金属凸块周围，能够起到保护金属凸块免受水汽、离子污染、辐射或其他不利的环境，对金属凸块起到缓冲保护的作用。通过设置导电胶膜层，在实际热压焊时，导电胶膜层能够起到缓冲作用，避免应力影响导致的UBM以及RDL布线隐裂的问题，提升了器件的可靠性。并且导电胶膜层在受到压力后挤压至凹槽开口内，通过热压焊实现焊接，由于凹槽开口的容置作用，能够避免导电胶膜材料大量溢出至外部而导致桥接的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 溢出 式凸块 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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