[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202111127713.0 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113851528A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 史伟民 | 申请（专利权）人： | 上海恒灼科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 梁剑 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及二极管技术领域，具体涉及一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法，包括N型重掺杂碳化硅衬底、N‑型碳化硅外延，阳极区、终端、介质层、接触孔、金属层及钝化层，本发明在二极管的制作过程中采用一张掩膜版，在二极管的阳极区开口，采用多次离子注入实现N型掺杂，实现局部的漂移区的浓度增加。这样不影响器件的耐压，同时降低正向导通电阻，提高器件的功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海恒灼科技有限公司，未经上海恒灼科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111127713.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
