[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种碳化硅肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1使用碳化硅衬底并以此外延衬底，激光打标，清洗后刻蚀外延层，形成对准标记；

S2淀积氧化层离子注入保护层，涂胶光刻显影后，注入高能离子，形成局部N型掺杂；

S3淀积硬掩膜层，涂光刻胶、曝光、显影定义出阳极区和终端区，注入高能离子后去除硬掩膜层；

S4碳化硅正面涂胶或溅射碳膜层，经高温退火激活，氧化并淀积介质层，并使用干法或者湿法开接触孔；

S5溅射金属并刻蚀金属层，淀积形成钝化层，经聚亚酰胺覆盖并曝光显影定义图形，最后做背面处理，完成制作。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述方法中，使用N型重掺杂碳化硅衬底，并使用N-型碳化硅外延层生长，依次进行激光打标，将衬底清洗，涂胶光刻，并刻蚀N-型碳化硅外延层，形成对准标记。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述方法中，高能离子注入，形成局部N型掺杂时，注入次数为3-6次，注入离子源为N元素或者P元素，注入能量为20Kev-2Mev，注入剂量为1e11-1e13。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述方法中，终端区是场线环或者横向变掺杂结终端延伸，并用等离子体干法刻蚀掩膜层，开口斜度大于87°。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述方法中，阳极区和终端注入时，使用高能离子注入，其中，注入次数为3-6次，注入离子源为Al元素或者B元素，注入能量为20Kev-1Mev。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述方法中，高温退火激活时，退火温度＞1600℃，退火时间5-10min，去除碳膜通过刻蚀或者炉管通氧气。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述方法中，通过炉管氧化一层氧化层，并淀积一层氧化层，通过干法或者湿法开接触孔。

8.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述方法中，依次溅射金属Ti层、TiN层及Al层，然后刻蚀金属层，通过快速退火处理及炉管合金化，淀积钝化层氧化硅或氮化硅，形成钝化层。

9.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的制作方法，其特征在于，所述方法中，背面处理包括背面减薄、背面溅射金属Ni或Ti、激光退火及背面溅射或蒸发金属TiNiAg。

10.一种碳化硅肖特基二极管，由权利要求1-9任一项所述的碳化硅肖特基二极管的制作方法制成，其特征在于，包括N型重掺杂碳化硅衬底、N-型碳化硅外延，阳极区、终端、介质层、接触孔、金属层及钝化层。