[发明专利]一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET在审
| 申请号： | 202111123112.2 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113851542A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘超;夏云;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 400000 重庆市沙坪*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET。本发明的器件在耐压区的超结结构中引入了高浓度的P型缓冲层，引入的P型缓冲层延长了其体二极管漂移区的长度，使得漂移区内的载流子分布更加靠近漏极，这减缓了漂移区内载流子的抽取，同时，高掺杂的P型缓冲层在器件耐压时不会完全耗尽，因此反向导通时高掺杂的P型缓冲层内的载流子可以被缓慢地抽取，反向恢复电流的下降率di/dt得以降低，反向恢复特性得以改善。本发明的有益效果为，本发明的具有软反向恢复特性的超结MOSFET，优化了反向恢复时的di/dt和dv/dt，从而改善了超结MOSFET反向恢复特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反向 恢复 特性 mosfet | ||
【主权项】：
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