[发明专利]一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET在审
| 申请号： | 202111123112.2 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113851542A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘超;夏云;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 400000 重庆市沙坪*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反向 恢复 特性 mosfet | ||
1.一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET，其半元胞包括漏极结构、耐压层结构、源极结构和栅极结构，其中耐压层结构位于漏极结构之上，源极结构和栅极结构位于耐压层结构之上；
所述漏极结构包括漏极金属(1)以及N+漏区(2)；所述N+漏区(2)位于漏极金属(1)上表面；所述漏极金属(1)引出端为漏极；
所述耐压层结构包括N型漂移区(6)、P型漂移区(5)、P型缓冲层(3)和N型缓冲层(4)；所述N型漂移区(6)与P型漂移区(5)并列设置构成超结结构，其中P型漂移区(5)位于P型缓冲层(3)上表面，N型漂移区(6)位于N型缓冲层(4)上表面；所述P型缓冲层(3)嵌入设置在N+漏区(2)一侧的上层，即P型缓冲层(3)的下表面以及侧面与N+漏区(2)接触；所述N型缓冲层(4)位于N+漏区(2)另一侧的上表面，N型缓冲层(4)侧面与P型漂移区(3)的侧面接触；
所述源极结构包括P型阱区(7)、N+源区(8)、P+短路区(9)和源极金属(10)；所述P型阱区(7)位于P型漂移区(5)上表面，且P型阱区(7)沿器件横向方向延伸入N型漂移区(6)上层，N+源区(8)和P+短路区(9)并列设置于P型阱区(5)上层，且N+源区(8)位于靠近N型漂移区(6)的一侧；源极金属(10)位于P+短路区(9)和部分N+源区(8)上表面，源极金属(10)引出端为源极；
所述栅极结构为平面栅，所述平面栅由绝缘介质(11)和位于绝缘介质(11)之上的导电材料(12)构成；所述绝缘介质(11)位于N型漂移区(6)、P型阱区(7)和部分N+源区(8)上表面；导电材料(12)的引出端为栅极；
所述P型缓冲层(3)的浓度大于等于P型漂移区(5)的浓度，所述N型缓冲层(4)的浓度大于N型漂移区(4)的浓度。
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