[发明专利]一种铁电存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种铁电存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述铁电存储器包括水平衬底，设置在所述水平衬底内的公共源极，所述水平衬底上表面至少设置两个阵列串，两个所述阵列串之间通过第一介质层隔开；所述阵列串包括垂直于所述水平衬底的柱型半导体区域，位于所述柱型半导体区域上的氧保护层和引线层，依此包裹所述柱型半导体区域的铁电薄膜层，缓冲层和与第二介质层相堆叠的控制栅电极；其中，所述引线层穿透所述氧保护层与所述柱型半导体区域的上表面接触。采用铁电薄膜存储介质替代浮栅电荷存储介质形成金属‑铁电‑绝缘‑半导体(MFIS)结构，可获得更低的工作电压，得到更高的反复擦写能力和良好的抗辐射能力。