[发明专利]半导体工艺和半导体结构在审
| 申请号： | 202111112779.2 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113948445A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 周小红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体工艺和半导体结构，该半导体工艺包括：提供基底，基底包括依次层叠的衬底以及堆叠结构，其中，堆叠结构包括本体结构和位于本体结构中的凹槽，本体结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层，凹槽由台阶区域形成；在基底的裸露表面上形成介质材料，剩余的凹槽形成子凹槽；至少去除子凹槽两侧的部分介质材料；向子凹槽中填充介质材料，直到填满子凹槽；去除部分介质材料，使得本体结构的表面裸露。本申请的半导体工艺通过两次沉积步骤，来填满凹槽，保证了凹槽的填充效果较好，避免了现有技术中由于凹槽的台阶高度较大，填充凹槽时容易产生孔洞以及间隙的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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