[发明专利]半导体工艺和半导体结构

说明书

本申请提供了一种半导体工艺和半导体结构，该半导体工艺包括：提供基底，基底包括依次层叠的衬底以及堆叠结构，其中，堆叠结构包括本体结构和位于本体结构中的凹槽，本体结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层，凹槽由台阶区域形成；在基底的裸露表面上形成介质材料，剩余的凹槽形成子凹槽；至少去除子凹槽两侧的部分介质材料；向子凹槽中填充介质材料，直到填满子凹槽；去除部分介质材料，使得本体结构的表面裸露。本申请的半导体工艺通过两次沉积步骤，来填满凹槽，保证了凹槽的填充效果较好，避免了现有技术中由于凹槽的台阶高度较大，填充凹槽时容易产生孔洞以及间隙的问题。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体工艺和半导体结构。

背景技术

现有技术中，闪存(Flash Memory)存储器的主要功能是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在电子产品中得到了广泛的应用。为了进一步提高闪存存储器的位密度(Bit Density)，同时减少位成本(Bit Cost)，进一步提出了3D NAND存储器。

在目前3D NAND存储器中，通常采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的3D NAND存储器结构。为了得到所述堆叠式的3D NAND存储器结构，需要在衬底100上形成堆叠结构，并对堆叠结构刻蚀形成台阶区域，所述台阶区域形成凹槽；之后，在刻蚀后的所述堆叠结构的表面沉积二氧化硅层，如图1所示；再进行光刻，以减小二氧化硅的宽度W，便于后续抛光；最后需要抛光去除堆叠结构表面上的二氧化硅，仅保留凹槽中的二氧化硅。由于凹槽的台阶高度较高，在凹槽中填充二氧化硅时，容易产生孔洞以及间隙。

并且，光刻后，如图2所示，堆叠结构表面上的多个二氧化硅层的宽度W1、W2、W3以及W4等不一致，在化学机械抛光时，会出现部分区域的堆叠结构的表面已经裸露，而其他区域的堆叠结构的表面上还残留二氧化硅的情况，这样会导致部分区域的堆叠结构被过度抛光的问题。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种半导体工艺和半导体结构，以解决现有技术中填充台阶区域形成的凹槽效果较差的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体工艺，包括：提供基底，所述基底包括依次层叠的衬底以及堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括本体结构和位于所述本体结构中的凹槽，所述本体结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层，所述凹槽由台阶区域形成；在所述基底的裸露表面上形成介质材料，剩余的所述凹槽形成子凹槽；至少去除所述子凹槽两侧的部分所述介质材料；向所述子凹槽中填充所述介质材料，直到填满所述子凹槽；去除部分所述介质材料，使得所述本体结构的表面裸露。

进一步地，至少去除所述子凹槽两侧的部分所述介质材料，包括：在所述介质材料的裸露表面上形成牺牲材料，所述牺牲材料填满所述子凹槽；去除预定平面上的所述牺牲材料和至少部分所述介质材料，所述预定平面为所述本体结构的远离所述衬底的表面所在的平面；去除位于所述子凹槽中的所述牺牲材料。

进一步地，去除预定平面上的所述牺牲材料和至少部分所述介质材料，包括：去除所述预定平面上的部分的所述牺牲材料，使得所述预定平面上的所述介质材料裸露；去除所述预定平面上剩余的所述牺牲材料以及所述介质材料。

进一步地，去除所述预定平面上的部分的所述牺牲材料，使得所述预定平面上的所述介质材料裸露，包括：对形成有所述牺牲材料的所述基底进行化学机械抛光，使得所述预定平面上的所述介质材料裸露。

进一步地，去除所述预定平面上剩余的所述牺牲材料以及所述介质材料，包括：采用各项异性刻蚀法刻蚀所述预定平面，以去除所述介质材料以及剩余的所述牺牲材料。