[发明专利]半导体工艺和半导体结构

权利要求书

1.一种半导体工艺，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括依次层叠的衬底以及堆叠结构，其中，所述堆叠结构包括本体结构和位于所述本体结构中的凹槽，所述本体结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层，所述凹槽由台阶区域形成；

在所述基底的裸露表面上形成介质材料，剩余的所述凹槽形成子凹槽；

至少去除所述子凹槽两侧的部分所述介质材料；

向所述子凹槽中填充所述介质材料，直到填满所述子凹槽；

去除部分所述介质材料，使得所述本体结构的表面裸露。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于，至少去除所述子凹槽两侧的部分所述介质材料，包括：

在所述介质材料的裸露表面上形成牺牲材料，所述牺牲材料填满所述子凹槽；

去除预定平面上的所述牺牲材料和至少部分所述介质材料，所述预定平面为所述本体结构的远离所述衬底的表面所在的平面；

去除位于所述子凹槽中的所述牺牲材料。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺，其特征在于，去除预定平面上的所述牺牲材料和至少部分所述介质材料，包括：

去除所述预定平面上的部分的所述牺牲材料，使得所述预定平面上的所述介质材料裸露；

去除所述预定平面上剩余的所述牺牲材料以及所述介质材料。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺，其特征在于，去除所述预定平面上的部分的所述牺牲材料，使得所述预定平面上的所述介质材料裸露，包括：

对形成有所述牺牲材料的所述基底进行化学机械抛光，使得所述预定平面上的所述介质材料裸露。

5.根据权利要求3所述的半导体工艺，其特征在于，去除所述预定平面上剩余的所述牺牲材料以及所述介质材料，包括：

采用各项异性刻蚀法刻蚀所述预定平面，以去除所述介质材料以及剩余的所述牺牲材料。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于，提供基底，包括：

提供所述衬底；

在所述衬底上形成预备堆叠结构，所述预备堆叠结构包括交替设置的所述绝缘介质层和所述牺牲层；

在所述预备堆叠结构中形成贯穿至所述衬底的所述凹槽。

7.根据权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于，去除部分所述介质材料，使得所述本体结构的表面裸露，包括：

对形成有所述介质材料的所述基底进行化学机械抛光，以使得所述本体结构的表面裸露。

8.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体工艺，其特征在于，所述介质材料包括二氧化硅，所述牺牲材料为光刻胶。

9.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为采用权利要求1至8中任一项所述的半导体工艺制作得到。