[发明专利]一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备

摘要

本发明提供一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备，半导体生长设备包括：反应室；生长主管道，所述生长主管道的一端与所述反应室连接；放空主管道；第一混合主管道至第M混合主管道，M为大于或等于1的整数；第一反应气源组至第N反应气源组，N为大于或等于2的整数;第一切换阀组至第N切换阀组，第k切换阀组适于控制第k反应气源组中的气体向第j混合主管道的传输；k为大于等于1且小于等于N的整数；j为大于等于1且小于等于M的整数；第一生长放空切换阀至第M生长放空切换阀，第j生长放空切换阀适于将第j混合主管道中的气体向生长主管道或放空主管道切换。采用该半导体生长设备有利于提高半导体结构生长过程中界面的陡峭性。