[发明专利]一种彩膜结构及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202111051880.1 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN113764494A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 谭光耀;孔超 | 申请(专利权)人: | 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02B1/11;G02B1/111 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种彩膜结构及其制备方法、显示装置,彩膜结构包括彩膜基板以及设置于所述彩膜基板出光侧的减反层,所述彩膜基板包括彩膜层以及位于所述彩膜层周围的黑矩阵,所述减反层包括第一透明材料层和第二透明材料层,所述第一透明材料层的折射率大于所述第二透明材料层的折射率,所述第一透明材料层至少部分覆盖所述彩膜层,所述第一透明材料层与所述第二透明材料层至少部分相连,所述第一透明材料层与所述第二透明材料层的交界形成第一反射界面,所述第一反射界面配置为将入射所述第一透明材料层远离所述彩膜基板一侧的至少部分光线反射至所述黑矩阵。 | ||
搜索关键词: | 一种 膜结构 及其 制备 方法 显示装置 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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