[发明专利]一种彩膜结构及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202111051880.1 | 申请日: | 2021-09-08 |
公开(公告)号: | CN113764494A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 谭光耀;孔超 | 申请(专利权)人: | 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02B1/11;G02B1/111 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 膜结构 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种彩膜结构及其制备方法、显示装置,彩膜结构包括彩膜基板以及设置于所述彩膜基板出光侧的减反层,所述彩膜基板包括彩膜层以及位于所述彩膜层周围的黑矩阵,所述减反层包括第一透明材料层和第二透明材料层,所述第一透明材料层的折射率大于所述第二透明材料层的折射率,所述第一透明材料层至少部分覆盖所述彩膜层,所述第一透明材料层与所述第二透明材料层至少部分相连,所述第一透明材料层与所述第二透明材料层的交界形成第一反射界面,所述第一反射界面配置为将入射所述第一透明材料层远离所述彩膜基板一侧的至少部分光线反射至所述黑矩阵。
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域,具体涉及一种彩膜结构及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes,简称QLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
手机,平板等消费者业务的快速发展,带动了OLED屏幕的技术更新,对于OLED屏幕来说,降低功耗成为OLED屏幕的一个重要发展方向。具有彩膜结构的OLED器件可以降低约20%的功耗,但是由于OLED器件中加入彩膜结构后,不再使用偏光片,而是通过彩膜(CF)对于光的选择性透过以及黑矩阵(BM)来降低OLED器件的反射率,但是仅仅通过CF、BM无法满足OLED器件对于反射率的需求,具有彩膜结构的OLED器件很难满足较低反射率的要求(<5%)。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
在相关技术中,彩膜结构降低反射率的方法一般有:增大黑矩阵的面积或者使用AR减反层。增大黑矩阵的面积会使黑矩阵的面积占比增加,影响大角度下的出光效率,从而降低OLED器件的光取出效率。AR减反层是通过光的干涉现象实现反射率的降低,所以在减反射的波长上就会受到限制。AR减反层只能对于特定范围内的波长有作用,而无法对于380nm-780nm的可见光波长全部起作用,因此AR减反层有一定的局限性。
第一方面,本公开实施例提供了一种彩膜结构,包括彩膜基板以及设置于所述彩膜基板出光侧的减反层,所述彩膜基板包括彩膜层以及位于所述彩膜层周围的黑矩阵,所述减反层包括第一透明材料层和第二透明材料层,所述第一透明材料层的折射率大于所述第二透明材料层的折射率,所述第一透明材料层至少部分覆盖所述彩膜层,所述第一透明材料层与所述第二透明材料层至少部分相连,所述第一透明材料层与所述第二透明材料层的交界形成第一反射界面,所述第一反射界面配置为将入射所述第一透明材料层远离所述彩膜基板一侧的至少部分光线反射至所述黑矩阵。
在示例性实施方式中,所述第一透明材料层包括远离所述彩膜基板一侧的第一表面以及靠近所述彩膜基板一侧的第二表面,所述第一表面至少部分覆盖所述彩膜层,所述第二表面至少部分覆盖所述黑矩阵。
在示例性实施方式中,所述第一反射界面包括相对设置的第一界面和第二界面,所述第一界面配置为将入射所述第一透明材料层远离所述彩膜基板一侧的至少部分光线反射至所述第二界面,所述第二界面配置为将入射所述第二界面的至少部分光线反射至所述黑矩阵。
在示例性实施方式中,所述第一界面至少部分覆盖所述彩膜层,且所述第一界面至少部分位于所述第一表面与所述彩膜层之间。
在示例性实施方式中,所述第二界面至少部分覆盖所述第二表面和所述黑矩阵。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的