[发明专利]半导体存储装置及其形成方法有效
| 申请号： | 202111051859.1 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113745227B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈敏腾 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体存储装置及其形成方法，其包括衬底以及电容器。电容器设置在衬底上并包括由下而上依序堆叠的底电极层、电容介电层、以及顶电极层，以及第一含铝隔绝层。第一含铝隔绝层包括氮化铝钛或氮氧化铝，直接接触设置电容介电层并位在底电极层以及顶电极层之间。藉此，本发明的半导体存储装置可有效改善漏电流问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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