[发明专利]半导体存储装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

衬底；以及

电容器，设置在所述衬底上，所述电容器包括：

由下而上依序堆叠的底电极层、电容介电层、以及顶电极层；以及

含铝隔绝层，包括氮化铝钛或氮氧化铝，所述含铝隔绝层直接接触所述电容介电层并位在所述底电极层以及所述顶电极层之间，其中，所述含铝隔绝层包括相互分隔的多个弧状突起，呈现不连续的膜层结构。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述含铝隔绝层设置在所述电容介电层以及所述底电极层之间，并直接接触所述电容介电层的底面。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述含铝隔绝层设置在所述电容介电层以及所述顶电极层之间，并直接接触所述电容介电层的顶面。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述含铝隔绝层包括由下而上依序堆叠的氮化铝钛层以及氮氧化铝层。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还包括另一含铝隔绝层，所述另一含铝隔绝层亦直接接触所述电容介电层并位在所述底电极层以及所述顶电极层之间，所述含铝隔绝层以及所述另一含铝隔绝层分别接触所述电容介电层的底面以及顶面。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，所述另一含铝隔绝层包括氮化铝钛或氮氧化铝。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述弧状突起分别具有不同的第一厚度以及第二厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述电容介电层包括高介电常数介电材质，所述高介电常数介电材质选自由氧化铪、氧化铪硅、铪氧氮化硅、氧化锌、氧化钛以及氧化锆-氧化铝-氧化锆组成的群组。

9.一种半导体存储装置的形成方法，其特征在于包括：

提供衬底；

于所述衬底上形成电容器，所述电容器包括：

由下而上依序堆叠的底电极层、电容介电层、以及顶电极层；以及

含铝隔绝层，包括氮化铝钛或氮氧化铝，所述含铝隔绝层直接接触所述电容介电层并位在所述底电极层以及所述顶电极层之间，其中，所述含铝隔绝层包括相互分隔的多个弧状突起，呈现不连续的膜层结构。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，还包括：

进行至少一氧捕捉处理制作工艺，形成所述含铝隔绝层。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，所述至少一氧捕捉处理制作工艺是在所述底电极层形成之后、所述电容介电层形成之前进行，所述含铝隔绝层形成在所述电容介电层以及所述底电极层之间，并直接接触所述电容介电层的底面。

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，所述至少一氧捕捉处理制作工艺是在所述顶电极层形成之前、所述电容介电层形成之后进行，所述含铝隔绝层形成在所述电容介电层以及所述顶电极层之间，并直接接触所述电容介电层的顶面。

13.根据权利要求10所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，所述含铝隔绝层包括由下而上依序堆叠的氮化铝钛层以及氮氧化铝层。

14.根据权利要求10所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，所述至少一氧捕捉处理制作工艺包括：

通入铝物质；以及

通入氧捕捉气体。