[发明专利]非易失性存储器件和非易失性存储系统在审
| 申请号： | 202111045455.1 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN114284294A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 安在昊;金智源;黄盛珉;任峻成;成锡江 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器件和一种非易失性存储系统，所述非易失性存储器件包括：衬底，沿第一方向延伸；接地选择线，在所述衬底上沿所述第一方向延伸；多条字线，顺序地堆叠在所述接地选择线上并沿所述第一方向延伸；定位焊盘，在所述第一方向上与所述接地选择线和所述多条字线间隔开；后接触插塞，连接到所述定位焊盘的下表面并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；前接触插塞，连接到所述定位焊盘的与所述下表面相对的上表面并且沿所述第二方向延伸；输入/输出焊盘，电连接到所述后接触插塞；以及上接合焊盘，电连接到所述前接触插塞并且连接到所述非易失性存储器件的多个电路元件中的至少一部分电路元件。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 非易失性 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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