[发明专利]非易失性存储器件和非易失性存储系统

说明书

提供了一种非易失性存储器件和一种非易失性存储系统，所述非易失性存储器件包括：衬底，沿第一方向延伸；接地选择线，在所述衬底上沿所述第一方向延伸；多条字线，顺序地堆叠在所述接地选择线上并沿所述第一方向延伸；定位焊盘，在所述第一方向上与所述接地选择线和所述多条字线间隔开；后接触插塞，连接到所述定位焊盘的下表面并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；前接触插塞，连接到所述定位焊盘的与所述下表面相对的上表面并且沿所述第二方向延伸；输入/输出焊盘，电连接到所述后接触插塞；以及上接合焊盘，电连接到所述前接触插塞并且连接到所述非易失性存储器件的多个电路元件中的至少一部分电路元件。

技术领域

本公开涉及非易失性存储器件、包括该非易失性存储器件的系统和制造该非易失性存储器件的方法。

背景技术

半导体存储器件可以宽泛地被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。已经提高非易失性存储器件的集成度，从而能够根据消费者的需求改善性能并降低成本。顺便提及，在二维或平面存储器件的情况下，集成度由单位存储单元占据的面积决定。因此，近来，已经开发了其中单位存储单元垂直定位的三维存储器件。

发明内容

本发明构思的实施例提供了在连接到外部的接触插塞和用于连接外围电路区域的电路元件的接触插塞之间具有改善的对准裕量的非易失性存储器件。

本发明构思的实施例还提供了在连接到外部的接触插塞和用于连接外围电路区域的电路元件的接触插塞之间具有改善的对准裕量的非易失性存储系统。

本发明构思的实施例还提供了制造在连接到外部的接触插塞和用于连接外围电路区域的电路元件的接触插塞之间具有改善的对准裕量的非易失性存储器件的方法。

本发明构思的实施例提供了一种非易失性存储器件，其包括：衬底，所述衬底沿第一方向延伸；接地选择线，所述接地选择线在所述衬底上沿所述第一方向延伸；多条字线，所述多条字线顺序地堆叠在所述接地选择线上并沿所述第一方向延伸；定位焊盘，所述定位焊盘在所述第一方向上与所述接地选择线和所述多条字线间隔开；后接触插塞，所述后接触插塞连接到所述定位焊盘的下表面并且沿与所述第一方向相交并与所述衬底的上表面垂直的第二方向延伸；前接触插塞，所述前接触插塞连接到所述定位焊盘的与所述下表面相对的上表面，所述前接触插塞沿所述第二方向延伸；输入/输出焊盘，所述输入/输出焊盘电连接到所述后接触插塞；以及上接合焊盘，所述上接合焊盘电连接到所述前接触插塞并且连接到所述非易失性存储器件的多个电路元件中的至少一部分电路元件。

本发明构思的实施例还提供了一种非易失性存储器件，其包括：外围区域，所述外围区域包括多个电路元件；以及单元区域，所述单元区域电连接到所述多个电路元件并且存储数据。所述单元区域包括：衬底，所述衬底沿第一方向延伸；接地选择线，所述接地选择线在所述衬底上沿所述第一方向延伸；多条字线，所述多条字线顺序地堆叠在所述接地选择线上并且沿所述第一方向延伸；沟道结构，所述沟道结构穿过所述接地选择线和所述多条字线，并且沿与所述第一方向相交并与所述衬底的上表面垂直的第二方向延伸；定位焊盘，所述定位焊盘在所述第一方向上与所述接地选择线和所述多条字线间隔开；后接触插塞，所述后接触插塞连接到所述定位焊盘的下表面并且沿所述第二方向延伸；前接触插塞，所述前接触插塞连接到所述定位焊盘的与所述下表面相对的上表面，所述前接触插塞沿所述第二方向延伸；输入/输出焊盘，所述输入/输出焊盘电连接到所述后接触插塞；以及上接合焊盘，所述上接合焊盘电连接到所述前接触插塞并且连接到所述多个电路元件中的至少一部分电路元件。