[发明专利]一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111041994.8 申请日: 2021-09-07
公开(公告)号: CN113801394A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 王翔宇;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 安徽一星新材料科技有限公司
主分类号: C08L23/08 分类号: C08L23/08;C08L67/02;C08L83/08;C08L33/16;C08K3/30;C08K3/04;C08K5/41;C08J5/18
代理公司: 北京翔石知识产权代理事务所(普通合伙) 11816 代理人: 薛晓军
地址: 231400 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明属于ETFE薄膜领域,公开了一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法,包括以下步骤:1)按配比称取物料投入到高混机中,充分混合,所述物料包含:ETFE原料50~90份、抗氧剂1~3份、抗静电剂2~4份、抗拉伸剂1~2份、耐磨剂6~12份、阻燃剂1~2份、相容剂2~3份及结晶抑制剂20~30份。本发明通过采用添加耐磨剂的方式直接生产出高耐磨性的ETFE薄膜,并配合相容剂和结晶抑制剂使各原料之间相互协同,使ETFE薄膜具备耐磨性能的同时,兼具抗静电、阻燃、抗拉伸等优良性能,另外本发明的耐磨剂采用多种原料复配,有效提高薄膜的耐磨性能,本发明的ETFE薄膜在半导体封装及其他工业封装领域市场前景广阔。
搜索关键词: 一种 半导体 封装 etfe 薄膜 制备 方法
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