[发明专利]一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法

说明书

本发明属于ETFE薄膜领域，公开了一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，包括以下步骤：1)按配比称取物料投入到高混机中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧剂1～3份、抗静电剂2～4份、抗拉伸剂1～2份、耐磨剂6～12份、阻燃剂1～2份、相容剂2～3份及结晶抑制剂20～30份。本发明通过采用添加耐磨剂的方式直接生产出高耐磨性的ETFE薄膜，并配合相容剂和结晶抑制剂使各原料之间相互协同，使ETFE薄膜具备耐磨性能的同时，兼具抗静电、阻燃、抗拉伸等优良性能，另外本发明的耐磨剂采用多种原料复配，有效提高薄膜的耐磨性能，本发明的ETFE薄膜在半导体封装及其他工业封装领域市场前景广阔。

技术领域

本发明涉及ETFE薄膜技术领域，具体为一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法。

背景技术

ETFE的中文名为乙烯-四氟乙烯共聚物，是一种透明膜材，不仅具有优良的抗冲击性能、电性能、热稳定性和耐化学腐蚀性，而且机械强度高、环保可回收，加工性能好，应用领域广，能适用于半导体封装领域。

在现有技术中的ETFE薄膜，虽然个方面的性能优异，但是在半导体或其他封装领域，对薄膜的耐磨性要求较高，要求产品在刮蹭、摩擦后，不影响外观质量，而现有的ETFE薄膜的耐磨性能还比较薄弱。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，包括以下步骤：

1)按配比称取物料投入到高混机中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧剂1～3份、抗静电剂2～4份、抗拉伸剂1～2份、耐磨剂6～12份、阻燃剂1～2份、相容剂2～3份及结晶抑制剂20～30份；

2)将上述混合后的物料投入双螺杆挤出机，进行挤出造粒，双螺杆挤出机挤出加工温度为200～300℃；

3)将造粒好的物料置于流延挤出机中熔融挤出成膜，熔体温度为330-350℃，一次冷却辊直径800～1000mm，一次冷却辊温度为60～90℃，最终制得20～50μm的薄膜。

作为上述方案的进一步描述；

所述ETFE原料为粉末形状，堆积密度为1-3g/ml，熔融指数为30-40g/10min，熔点为210-250℃。

作为上述方案的进一步描述；

所述抗氧剂为半受阻酚抗氧剂、亚磷酸酯抗氧剂、硫醚类抗氧剂中的一种或多种。

作为上述方案的进一步描述；

所述耐磨剂由以下重量份的原料组成：二硫化钼0.6～0.8％、三氟丙基甲基聚硅氧烷1.0～2.0％、三羟乙基甲基季铵硫酸甲酯盐3.0～4.0％，余量为聚对苯二甲酸丁二酯。

作为上述方案的进一步描述；

所述结晶抑制剂选择聚甲基丙烯酸全氟烷基甲酯和/或聚乙基丙烯酸全氟烷基甲酯。

作为上述方案的进一步描述；

所述抗静电剂为乙炔炭黑。

与现有技术相比，本发明提供了一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，具备以下有益效果：

本发明通过采用添加耐磨剂的方式直接生产出高耐磨性的ETFE薄膜，并配合相容剂和结晶抑制剂使各原料之间相互协同，使ETFE薄膜具备耐磨性能的同时，兼具抗静电、阻燃、抗拉伸等优良性能，另外本发明的耐磨剂采用多种原料复配，有效提高薄膜的耐磨性能，本发明的ETFE薄膜在半导体封装及其他工业封装领域市场前景广阔。

具体实施方式