[发明专利]一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)按配比称取物料投入到高混机中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧剂1～3份、抗静电剂2～4份、抗拉伸剂1～2份、耐磨剂6～12份、阻燃剂1～2份、相容剂2～3份及结晶抑制剂20～30份；

2)将上述混合后的物料投入双螺杆挤出机，进行挤出造粒，双螺杆挤出机挤出加工温度为200～300℃；

3)将造粒好的物料置于流延挤出机中熔融挤出成膜，熔体温度为330-350℃，一次冷却辊直径800～1000mm，一次冷却辊温度为60～90℃，最终制得20～50μm的薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，其特征在于：所述ETFE原料为粉末形状，堆积密度为1-3g/ml，熔融指数为30-40g/10min，熔点为210-250℃。

3.根据权利要求1所述的一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，其特征在于：所述抗氧剂为半受阻酚抗氧剂、亚磷酸酯抗氧剂、硫醚类抗氧剂中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，其特征在于：所述耐磨剂由以下重量份的原料组成：二硫化钼0.6～0.8％、三氟丙基甲基聚硅氧烷1.0～2.0％、三羟乙基甲基季铵硫酸甲酯盐3.0～4.0％，余量为聚对苯二甲酸丁二酯。

5.根据权利要求1所述的一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，其特征在于：所述结晶抑制剂选择聚甲基丙烯酸全氟烷基甲酯和/或聚乙基丙烯酸全氟烷基甲酯。

6.根据权利要求1所述的一种半导体封装用ETFE薄膜面材的制备方法，其特征在于：所述抗静电剂为乙炔炭黑。