[发明专利]一种多次可编程存储器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111036001.8 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN113471206A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 秋珉完;金起凖 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种多次可编程存储器结构及其制造方法，包括：衬底；浮栅，位于所述衬底上；选择栅，位于所述衬底上，所述选择栅位于所述浮栅的一侧；栅介质层，位于所述浮栅上；层间介质层，位于所述衬底、所述选择栅和所述栅介质层上；第一类导电插塞和第二类导电插塞，位于所述层间介质层中；第一层金属层，位于所述层间介质层上，所述第一层金属层包括第一金属和第二金属，所述第一金属通过第一类导电插塞与所述栅介质层连接；所述第二金属通过第二类导电插塞与所述选择栅连接；其中，所述第一类导电插塞的径向尺寸大于所述第二类导电插塞的径向尺寸。本发明提出的多次可编程存储器结构及其制造方法可以提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多次 可编程 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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