[发明专利]一种多次可编程存储器结构及其制造方法

说明书

本发明提出一种多次可编程存储器结构及其制造方法，包括：衬底；浮栅，位于所述衬底上；选择栅，位于所述衬底上，所述选择栅位于所述浮栅的一侧；栅介质层，位于所述浮栅上；层间介质层，位于所述衬底、所述选择栅和所述栅介质层上；第一类导电插塞和第二类导电插塞，位于所述层间介质层中；第一层金属层，位于所述层间介质层上，所述第一层金属层包括第一金属和第二金属，所述第一金属通过第一类导电插塞与所述栅介质层连接；所述第二金属通过第二类导电插塞与所述选择栅连接；其中，所述第一类导电插塞的径向尺寸大于所述第二类导电插塞的径向尺寸。本发明提出的多次可编程存储器结构及其制造方法可以提高器件的性能。

技术领域

本发明涉及存储器领域，特别涉及一种多次可编程存储器结构及其制造方法。

背景技术

多次可编程存储器（Multi-Time Programmable Memory，MTP）器件由于具有可多次进行数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种存储器器件。

多次可编程（Multi-Time Program Memory，MTP）存储器，相比于单次可编程存储器（One time Program Memory，OTP）来说，具有可多次进行数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，已逐渐成为个人电脑、电子设备、移动存储等领域所广泛采用的一种存储器器件。然而，利用传统的方法形成的多次可编程存储器结构的尺寸较大，且性能尚不够理想。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种多次可编程存储器结构及其制造方法，以减小多次可编程存储器结构的尺寸，提高多次可编程存储器的性能。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种多次可编程存储器结构，包括：

衬底；

浮栅，位于所述衬底上，所述浮栅的两侧包括第一侧墙；

选择栅，位于所述衬底上，所述选择栅位于所述浮栅的一侧；

栅介质层，位于所述浮栅上，所述栅介质层向两侧的所述第一侧墙延伸，且覆盖部分所述第一侧墙；

层间介质层，位于所述衬底、所述选择栅和所述栅介质层上；

第一类导电插塞和第二类导电插塞，位于所述层间介质层中；

第一层金属层，位于所述层间介质层上，所述第一层金属层包括第一金属和第二金属，所述第一金属通过第一类导电插塞与所述栅介质层连接，所述第二金属通过第二类导电插塞与所述选择栅连接；

其中，所述第一类导电插塞的径向尺寸大于所述第二类导电插塞的径向尺寸。

进一步地，所述栅介质层包括第一材料层和第二材料层，且所述第一材料层位于所述浮栅上，所述第二材料层位于所述第一材料层上。

进一步地，所述第一材料层为氧化物，所述第二材料层为氮化物。

进一步地，所述衬底中还包括源极和漏极，所述浮栅和所述选择栅位于所述源极和所述漏极之间。

进一步地，所述衬底中还包括共享掺杂区，所述共享掺杂区位于所述浮栅和所述选择栅之间。

进一步地，所述第一层金属层还包括第三金属和第四金属，所述第三金属通过所述第二类导电插塞与所述源极连接，所述第四金属通过所述第二类导电插塞与所述漏极连接。

进一步地，还包括自对准金属硅化物层，所述自对准金属硅化物层分别位于所述选择栅，所述源极和所述漏极的上表面。

进一步地，所述浮栅和所述衬底之间还包括栅氧化层。

进一步地，所述选择栅的两侧还包括第二侧墙。

进一步地，本发明还提出一种多次可编程存储器结构的制造方法，包括：

提供一衬底；