[发明专利]一种多次可编程存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种多次可编程存储器结构，其特征在于，包括：

衬底；

浮栅，位于所述衬底上，所述浮栅的两侧包括第一侧墙；

选择栅，位于所述衬底上，所述选择栅位于所述浮栅的一侧；

栅介质层，位于所述浮栅上，所述栅介质层向两侧的所述第一侧墙延伸，且覆盖部分所述第一侧墙；

层间介质层，位于所述衬底、所述选择栅和所述栅介质层上；

第一类导电插塞和第二类导电插塞，位于所述层间介质层中；

第一层金属层，位于所述层间介质层上，所述第一层金属层包括第一金属和第二金属，所述第一金属通过第一类导电插塞与所述栅介质层连接，所述第二金属通过第二类导电插塞与所述选择栅连接；

其中，所述第一类导电插塞的径向尺寸大于所述第二类导电插塞的径向尺寸。

2.根据权利要求1所述的多次可编程存储器结构，其特征在于，所述栅介质层包括第一材料层和第二材料层，且所述第一材料层位于所述浮栅上，所述第二材料层位于所述第一材料层上。

3.根据权利要求2所述的多次可编程存储器结构，其特征在于，所述第一材料层为氧化物，所述第二材料层为氮化物。

4.根据权利要求1所述的多次可编程存储器结构，其特征在于，所述衬底中还包括源极和漏极，所述浮栅和所述选择栅位于所述源极和所述漏极之间。

5.根据权利要求4所述的多次可编程存储器结构，其特征在于，所述衬底中还包括共享掺杂区，所述共享掺杂区位于所述浮栅和所述选择栅之间。

6.根据权利要求5所述的多次可编程存储器结构，其特征在于，所述第一层金属层还包括第三金属和第四金属，所述第三金属通过所述第二类导电插塞与所述源极连接，所述第四金属通过所述第二类导电插塞与所述漏极连接。

7.根据权利要求6所述的多次可编程存储器结构，其特征在于，还包括自对准金属硅化物层，所述自对准金属硅化物层分别位于所述选择栅，所述源极和所述漏极的上表面。

8.根据权利要求1所述的多次可编程存储器结构，其特征在于，所述浮栅和所述衬底之间还包括栅氧化层。

9.根据权利要求1所述的多次可编程存储器结构，其特征在于，所述选择栅的两侧还包括第二侧墙。

10.一种多次可编程存储器结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

形成栅氧化层于所述衬底上；

形成浮栅于所述栅氧化层上，形成第一侧墙于所述浮栅的两侧；

形成选择栅于所述衬底上，所述选择栅位于所述浮栅的一侧；

形成源极、漏极于所述衬底中，所述源极、漏极位于所述选择栅和所述浮栅的两侧；

形成栅介质层于所述浮栅上，所述栅介质层向两侧的所述第一侧墙延伸，且覆盖部分所述第一侧墙；

形成自对准金属硅化物层于所述选择栅、所述源极和所述漏极的上表面；

形成层间介质层于所述衬底、所述选择栅和所述栅介质层上；

形成第一类导电插塞和第二类导电插塞于所述层间介质层中；

形成第一金属于所述层间介质层上，所述第一金属通过所述第一类导电插塞连接所述栅介质层；

形成第二金属于所述层间介质层上，所述第二金属通过所述第二类导电插塞连接所述选择栅；

形成第三金属、第四金属于所述层间介质层上，所述第三金属、第四金属通过所述第二类导电插塞分别连接所述源极和所述漏极；

其中，所述第一类导电插塞的径向尺寸大于所述第二类导电插塞的径向尺寸。