[发明专利]一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法有效
| 申请号： | 202111030992.9 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113718337B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张泽盛 | 申请（专利权）人： | 北京晶格领域半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B9/10 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 刘晓 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法。所述装置包括：用于容纳Si合金助溶液的坩埚和用于固定碳化硅籽晶的籽晶杆；所述装置还包括液面高度保持装置，液面高度保持装置包括液面保持圆环和用于推动液面保持圆环下降至Si合金助溶液中的推动装置。所述方法为：将包含有Si和金属单质的生长原料熔化成Si合金助溶液；使碳化硅籽晶下降并与助溶液相接触进行碳化硅晶体的生长；在碳化硅晶体的生长过程中，通过推动装置推动液面保持圆环下降至Si合金助溶液中以保持Si合金助溶液的液面高度不变。本发明可使得碳化硅晶体生长过程中液面高度不变且温场保持恒定，还可以保持助溶液成分的稳定以及提高生成的碳化硅晶体的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 液相法 生长 碳化硅 晶体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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