[发明专利]高密发光二极管芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202111029322.5 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113990891A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;朱广敏;李鹏;王逢祥;赵世彬;陈书林 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种高密发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述高密发光二极管芯片包括透明基板、以及依次层叠在所述透明基板上的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层，所述蓝光外延层、所述绿光外延层和所述红光外延层依次键合，且所述蓝光外延层、所述绿光外延层和所述红光外延层上均具有N型电极和P型电极；所述蓝光外延层和所述绿光外延层之间具有一层第一滤光层，所述第一滤光层用于阻挡蓝光，所述绿光外延层和所述红光外延层之间具有一层第二滤光层，所述第二滤光层用于阻挡蓝光和绿光。采用芯片可以显著缩小像素单元的面积，提高LED的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 高密 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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