[发明专利]TEOS膜的制作方法有效
| 申请号： | 202111010449.2 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113667964B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 方合;宋维聪 | 申请（专利权）人： | 陛通半导体设备（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/02;C23C16/505;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 215413 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种TEOS膜的制作方法，涉及半导体技术领域。该方法包括在硅晶圆上沉积第一层TEOS薄膜以及在第一层TEOS薄膜上沉积第二层TEOS薄膜，其中第一层TEOS薄膜沉积过程中未采用低频射频电源进行电离，而第二层TEOS薄膜的沉积过程中采用了低频射频电源进行电离。第一层TEOS薄膜的厚度为20～400nm，第二层TEOS薄膜的厚度为2000～6000nm。第一层TEOS薄膜具有较低的压应力，使得其与硅晶圆的粘附力较强而不容易脱膜。第二层TEOS薄膜的具有较佳的致密性，从而降低漏电流。因此，采用本申请提供的制作方法制得的TEOS膜既保持了较好的绝缘性能，同时也不容易从硅晶圆上脱落。 | ||
| 搜索关键词： | teos 制作方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
