[发明专利]TEOS膜的制作方法有效
| 申请号： | 202111010449.2 | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113667964B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 方合;宋维聪 | 申请（专利权）人： | 陛通半导体设备（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/02;C23C16/505;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 215413 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | teos 制作方法 | ||
1.一种TEOS膜的制作方法，其特征在于，包括：
采用化学气相沉积法在硅晶圆上沉积第一层TEOS薄膜，在所述第一层TEOS薄膜的沉积过程中使用高频射频电源进行电离，且功率为1000~2000W，在所述第一层TEOS薄膜的沉积过程中不使用低频射频电源进行电离，所述第一层TEOS薄膜的厚度为20~400nm；
采用化学气相沉积法在所述第一层TEOS薄膜上沉积第二层TEOS薄膜，在所述第二层TEOS薄膜的沉积过程中使用低频射频电源进行电离，所述第二层TEOS薄膜的沉积过程中使用的低频射频电源的功率为200~600W，所述第二层TEOS薄膜的厚度为2000~6000nm。
2.根据权利要求1所述的TEOS膜的制作方法，其特征在于，所述第一层TEOS薄膜的沉积速率为250~350 nm/min，所述第二层TEOS薄膜的沉积速率为550~650nm/min。
3.根据权利要求1所述的TEOS膜的制作方法，其特征在于，在所述第一层TEOS薄膜的沉积过程中，通入真空室内的O2流量为2500~3000sccm，通入所述真空室内的TEOS流量为1.0~2.0ccm。
4.根据权利要求3所述的TEOS膜的制作方法，其特征在于，在所述第二层TEOS薄膜的沉积过程中，通入真空室内的O2流量为2000~2500sccm，通入所述真空室内的TEOS流量为2.0~2.5ccm。
5.根据权利要求4所述的TEOS膜的制作方法，其特征在于，在所述第一层TEOS薄膜和所述第二层TEOS薄膜的沉积过程中，所述真空室内的压力保持在2~4Torr。
6.根据权利要求1所述的TEOS膜的制作方法，其特征在于，在所述第二层TEOS薄膜的沉积过程中还使用高频射频电源进行电离。
7.根据权利要求6所述的TEOS膜的制作方法，其特征在于，所述第二层TEOS薄膜的沉积过程中使用的高频射频电源的功率为500~1500W。
8.根据权利要求1所述的TEOS膜的制作方法，其特征在于，在所述第一层TEOS薄膜和所述第二层TEOS薄膜的沉积过程中，所述硅晶圆放置于真空室内的基座上，且所述基座的温度保持在100~180℃。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的TEOS膜的制作方法，其特征在于，在沉积所述第一层TEOS薄膜之前，所述TEOS膜的制作方法还包括：
将所述硅晶圆置于惰性气体环境中，以除去所述硅晶圆上的水气。
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- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
