[发明专利]一种具有高可靠度的功率半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111004673.0 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115117142A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 杨绍明;方建强;严学田 | 申请（专利权）人： | 上海林众电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201500 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种具有高可靠度的功率半导体元件，本技术方案中通过在P型基层的的下方设置不同磊晶浓度的N‑型漂移区磊晶硅层，使N‑型漂移区磊晶硅层中横向磊晶浓度自沟槽向下呈间隔式阶梯性增加，提升整体N‑漂移区磊晶硅层整体的浓度，使空乏区间变大电场强度变为趋缓，降低电子电洞对冲击产生率，保证了沟槽下方氧化层的品质，提高功率半导体元件的可靠度。在维持N‑型漂移区磊晶硅层相同的磊晶掺杂剂量下，只改变掺杂设计方式分布,使功率半导体元件既能维持低阻值高电流，又能维持较高的崩溃电压值，故可以提高组件的耐压同时且保持既有的低导通电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 可靠 功率 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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