[发明专利]一种GaN HEMT器件及制备方法在审
| 申请号： | 202111004565.3 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113871466A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 廖龙忠;谭永亮;高渊;胡泽先;付兴中;张力江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335;H01L21/56 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 祁静 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN HEMT器件及制备方法，属于半导体器件制备技术领域，GaN HEMT器件包括基底、欧姆电极、二氧化硅介质层、氮化硅介质层和栅金属层，制备方法包括在基底上制作欧姆电极‑依次形成二氧化硅介质层和氮化硅介质层‑对氮化硅介质层和二氧化硅介质层进行刻蚀‑在基底中部形成刻蚀槽‑在刻蚀槽内及与氮化硅介质层相邻的区域上形成栅金属层，解决了GaN HEMT器件栅寄生电容大，增益下降，高频特性变差的技术问题，使用二氧化硅和氮化硅复合介质代替氮化硅介质，减小介电常数，制作出复合介质的T型栅，减小器件栅寄生电容，实现低寄生、高增益的GaN HEMT器件，提高高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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