[发明专利]一种GaN HEMT器件及制备方法

权利要求书

1.一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括：

基底；

欧姆电极，形成于所述基底上；

二氧化硅介质层，形成于所述基底和所述欧姆电极上；

氮化硅介质层，形成于所述二氧化硅介质层上，所述氮化硅介质层和所述二氧化硅介质层在与所述基底中部区域对应的位置形成有刻蚀槽，所述刻蚀槽的底壁为所述基底上表面；

栅金属层，形成于所述刻蚀槽内以及与所述氮化硅介质层相邻的区域上。

2.如权利要求1所述的一种GaN HEMT器件，其特征在于，所述二氧化硅介质层的厚度为180nm～200nm，所述氮化硅介质层的厚度为30nm～50nm。

3.一种GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成欧姆电极；

在所述基底和所述欧姆电极上依次形成二氧化硅介质层和氮化硅介质层；

对所述氮化硅介质层和所述二氧化硅介质层进行刻蚀，在与所述基底中部区域对应的位置形成有刻蚀槽，所述刻蚀槽的底壁为所述基底上表面；

在所述刻蚀槽内以及与所述氮化硅介质层相邻的区域上形成栅金属层。

4.如权利要求3所述的一种GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，在所述基底上形成欧姆电极，包括：

在所述基底上表面采用光刻-蒸发-剥离的方法制作所述欧姆电极，所述基底为GaN。

5.如权利要求3所述的一种GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，在所述基底和所述欧姆电极上依次形成二氧化硅介质层和氮化硅介质层，包括：

在所述基底上表面和所述欧姆电极上表面使用PEVCD方法沉积二氧化硅介质，形成所述二氧化硅介质层；

在所述二氧化硅介质层上表面使用PEVCD方法沉积氮化硅介质，形成所述氮化硅介质层。

6.如权利要求3所述的一种GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，对所述氮化硅介质层和所述二氧化硅介质层进行刻蚀，在与所述基底中部区域对应的位置形成有刻蚀槽，包括：

在所述氮化硅介质层上表面涂覆光刻胶；

所述氮化硅介质层和所述二氧化硅介质层组合形成复合介质层，对所述复合介质层的中部的刻蚀区域进行曝光显影，并露出呈V型的刻蚀区域，形成V型光刻胶形貌；

使用ICP刻蚀工艺依次对V型刻蚀区域内的所述氮化硅介质层和所述二氧化硅介质层去除干净；

去除涂覆的光刻胶。

7.如权利要求6所述的一种GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，使用ICP刻蚀工艺对所述氮化硅介质层和所述二氧化硅介质层去除后形成倒梯形的所述刻蚀槽。

8.如权利要求3所述的一种GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀槽内以及与所述氮化硅介质层相邻的区域上形成栅金属层，包括：

在所述氮化硅介质层上表面涂覆光刻胶，对所述刻蚀槽区域进行曝光显影，露出所述栅金属层制作区域，形成呈T型光刻胶形貌；

使用电子束蒸发台在光刻胶上表面沉积所述栅金属层，所述栅金属层依次沉积在所述二氧化硅介质层和所述氮化硅介质层上被ICP刻蚀工艺刻蚀的区域。

9.如权利要求8所述的一种GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

使用有机溶剂剥离T型光刻胶形貌。

10.如权利要求8所述的一种GaN HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述氮化硅介质层上表面涂覆的光刻胶为双层，下层光刻胶的厚度为0.9μm～1μm，上层光刻胶的厚度为0.7μm～0.8μm，下层光刻胶的涂覆面积小于上层光刻胶的涂覆面积。