[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110992436.3 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113745338A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 温正欣;喻双柏;郑泽东;张学强;和巍巍 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件，其结构包括n型碳化硅衬底、位于衬底上方的n型碳化硅外延层、位于外延层顶部的沟槽栅、包裹于沟槽栅下部的氧化层，以及位于氧化层两侧且从上到下依次为n型源区、p型基区、p型沟槽保护区；一电流传输区，形成于氧化层的底部；n型源区及p型基区的上方形成有接触金属；沟槽栅的顶部为层间电介质层；所述层间电介质层的上方依次为金属pad和钝化层；器件的底部形成有漏极金属。本发明还公开了该器件的制备方法。该方法采用倾角注入形成沟槽保护区结构，在对沟槽底部栅氧形成有效保护的同时，最大程度的减少了沟槽保护区对导通电阻的影响，具有更低的电流传输区电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 碳化硅 mosfet 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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