[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110980822.0 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN116133380A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。本申请提供的半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成衬底，所述衬底包括本体部以及位于所述本体部表面的突起部；形成位于所述本体部上、且环绕所述突起部的侧壁分布的栅电极；形成位于所述本体部中、且分布于所述栅电极的相对两侧的第一掺杂区和第二掺杂区。本申请一些实施例增大了具有所述栅电极、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的MOS器件中的沟道长度，降低了短沟道效应、并减少了漏电流，改善了半导体结构的电性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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