[发明专利]一种外延层生长方法及外延层在审
| 申请号： | 202110973451.3 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN114032611A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 杨静雯;刘勇兴;周毅;黄嘉宏;黄国栋 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/18;C30B25/16;C30B29/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种外延层生长方法及外延层。在硅衬底上生长氮化镓层之前，会先在硅衬底上生长氮化铝层，利用氮化铝层减小了硅衬底与氮化镓层之间的晶格失配，提升了后续所生长的氮化镓层的晶体质量。而且，生长氮化铝层时铝源是持续通入反应室，而氮源则是脉冲式地通入，氮源的脉冲式通入为铝原子提供了足够的迁移时间，使得铝原子有更多的机会结合硅衬底上最有利的晶格位点，在硅衬底平面生形成更多更小的成核位点，减少了聚结缺陷，提升了氮化铝层的质量，为生长高质量氮化镓层、高质量外延层提供了可靠基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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