[发明专利]一种外延层生长方法及外延层在审
| 申请号： | 202110973451.3 | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN114032611A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 杨静雯;刘勇兴;周毅;黄嘉宏;黄国栋 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/18;C30B25/16;C30B29/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 方法 | ||
1.一种外延层生长方法，其特征在于，包括：
提供一硅衬底并将所述硅衬底置于反应室中；
持续向所述反应室中通入铝源，并脉冲式地向所述反应室中通入氮源，以在所述硅衬底上生长氮化铝层；
在所述氮化铝层上依次生长N型氮化镓层、有源层及P型氮化镓层。
2.如权利要求1所述的外延层生长方法，其特征在于，所述持续向所述反应室中通入铝源，并脉冲式地向所述反应室中通入氮源之前，还包括：
向所述反应室中通入所述铝源，以在所述硅衬底上生长铝层。
3.如权利要求2所述的外延层生长方法，其特征在于，所述向所述反应室中通入所述铝源，以在所述硅衬底上生长铝层包括：
将所述反应室内的温度设置为950～1100℃，压力设置为50～100mbar，以氢气为载气，向所述反应室中通入所述铝源，以在所述硅衬底上生长铝层。
4.如权利要求2所述的外延层生长方法，其特征在于，所述向所述反应室中通入所述铝源，以在所述硅衬底上生长铝层之前，还包括：
将所述反应室内的温度设置为900～1000℃，压力设置为200～400mbar，并向所述反应室内通入氢气，以去除所述硅衬底表面的氧化物。
5.如权利要求1所述的外延层生长方法，其特征在于，所述氮化铝层包括第一氮化铝层与第二氮化铝层，所述持续向所述反应室中通入铝源，并脉冲式地向所述反应室中通入氮源，以在所述硅衬底上生长氮化铝层包括：
在第一温度下持续向所述反应室中通入所述铝源，并脉冲式地向所述反应室中通入所述氮源，以生长所述第一氮化铝层；
在第二温度下持续向所述反应室中通入所述铝源，并脉冲式地向所述反应室中通入所述氮源，以在所述第一氮化铝层上生长所述第二氮化铝层，所述第二温度低于所述第一温度。
6.如权利要求5所述的外延层生长方法，其特征在于，所述第一温度为950～1100℃，所述第二温度为650～850℃。
7.如权利要求1-6任一项所述的外延层生长方法，其特征在于，所述脉冲式地向所述反应室中通入氮源包括：按照脉冲周期脉冲式地向所述反应室中通入所述氮源，所述脉冲周期中通入时间与非通入时间分别为t1与t2，且所述t1：t2的取值为1～5。
8.如权利要求1-6任一项所述的外延层生长方法，其特征在于，所述氮源包括氨气。
9.如权利要求1-6任一项所述的外延层生长方法，其特征在于，所述铝源包括三甲基铝、二乙基铝。
10.一种外延层，其特征在于，所述外延层采用如权利要求1-9任一项所述的外延层生长方法生长。
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