[发明专利]化学机械抛光液、半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110968068.9 | 申请日： | 2021-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN113528028A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡长益 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例涉及一种化学机械抛光液、化学机械研磨设备、半导体结构及其制备方法。该化学机械抛光液用于对多晶硅结构进行减薄处理，以获取表面平坦的多晶硅层，包括：二氧化硅研磨颗粒、过氧基化合物、去离子水；其中，过氧基化合物的体积百分比不小于3％且不大于10％。在化学机械抛光对多晶硅结构进行减薄的过程中，与化学机械抛光液接触的多晶硅被过氧基化合物氧化成二氧化硅，降低了化学机械抛光液的接触角度，提高研磨的效果，并且提高了化学机械研磨之后的清洗效果，降低了生产成本；同时，过氧基化合物可以降低化学机械抛光液与多晶硅结构之间的摩擦力，从而减少多晶硅结构表面的划伤，进而得到表面颗粒及划伤较少的多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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