[发明专利]半导体制造方法及半导体制造装置在审
| 申请号： | 202110948790.6 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115116823A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 福本敦之;相宗史记 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能使非晶硅适当单晶化的半导体制造方法及半导体制造装置。实施方式的半导体制造方法包含利用氨基硅烷系的第1气体在基底层上形成第1晶种层。所述方法还包含利用不包含氨基的硅烷系的第2气体在第1晶种层上形成第1非晶硅层。所述方法还包含利用氨基硅烷系的第3气体在第1非晶硅层上形成含有杂质的第2晶种层。所述方法还包含利用不包含氨基的硅烷系的第4气体在第2晶种层上形成第2非晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
