[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 202110946808.9 申请日: 2021-08-18
公开(公告)号: CN114695368A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 角田一晃;鹫田一博 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/11524 分类号: H01L27/11524;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供一种能够容易地将单元阵列区域分割成块的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括第1积层体、多个板状部、壁部。第1积层体交替地逐层积层着多个导电层与多个第1绝缘层,且包含多个柱状体,所述多个柱状体沿多个导电层的积层方向贯通所述多个导电层与多个第1绝缘层,在与多个导电层中的至少1个对向的部分分别形成存储单元。包含第1绝缘材料的多个板状部在与积层方向交叉的第1方向上延伸,将第1积层体分割成多个块。包含第2绝缘材料的壁部包含第1部分与第2部分。第1部分在与第1方向交叉的第2方向及积层方向上延伸,第2部分在第2方向及积层方向上延伸,第1部分与第2部分设置在积层方向上。第2部分与第1部分中的在第2方向及积层方向上扩展的侧面连接,且具有以比该侧面与积层方向所规定的角度大的角度相对于积层方向倾斜的外缘。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
暂无信息
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