[发明专利]半导体装置

摘要

公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，在基底上沿第一方向延伸；栅极结构，沿不同于第一方向的第二方向延伸跨过鳍型有源区；源/漏区，位于栅极结构的一侧上的鳍型有源区中；以及第一接触结构和第二接触结构，分别连接到源/漏区和栅极结构，其中，第一接触结构和第二接触结构中的至少一者包括位于栅极结构和源/漏区中的至少一者上且包含第一结晶金属的种子层以及位于种子层上且包含不同于第一结晶金属的第二结晶金属的接触插塞，并且第二结晶金属在种子层与接触插塞之间的界面处与第一结晶金属基本晶格匹配。