[发明专利]一种碳化硅基氮化镓微米线阵列光电探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅基氮化镓微米线阵列光电探测器及制备方法，该探测器包括：碳化硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述碳化硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；氮化镓微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米线延伸方向与凹槽结构延伸方向一致；氮化铝缓冲层，形成在所述凹槽结构的氮化镓微米线下方；若干叉指电极，设置在所述氮化镓微米线和所述二氧化硅绝缘层上方且与所述凹槽结构方向平行。该光电探测器的光/暗电流高、响应迅速、开/关电流比高以及探测范围广等良好特性，并且器件结构易于生长制造。